SiGe BiCMOS包络跟踪功率放大器设计研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 注释表 | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-14页 |
| 1.1.1 功放线性度与效率的折衷 | 第11-13页 |
| 1.1.2 功放设计新的挑战 | 第13-14页 |
| 1.2 包络跟踪技术的研究意义及现状 | 第14-16页 |
| 1.3 研究内容与论文结构 | 第16-18页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第16页 |
| 1.3.2 论文结构 | 第16-18页 |
| 第2章 WBET技术的基本理论 | 第18-33页 |
| 2.1 效率增强技术 | 第18-21页 |
| 2.1.1 线性化技术 | 第18-19页 |
| 2.1.2 Doherty技术 | 第19页 |
| 2.1.3 包络消除与再生技术 | 第19-20页 |
| 2.1.4 包络跟踪技术 | 第20-21页 |
| 2.2 现代WBET系统 | 第21-24页 |
| 2.2.1 现代WBET系统框图 | 第21-22页 |
| 2.2.2 现代WBET系统与现代EER系统 | 第22-24页 |
| 2.3 效率提升的原理 | 第24-26页 |
| 2.4 包络整形的分析 | 第26-28页 |
| 2.5 开关电源 | 第28-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 高线性SiGe HBT功率放大器的设计 | 第33-49页 |
| 3.1 功率放大器的主要指标 | 第33-35页 |
| 3.1.1 输出功率 | 第33页 |
| 3.1.2 功率增益 | 第33-34页 |
| 3.1.3 线性度 | 第34-35页 |
| 3.1.4 效率 | 第35页 |
| 3.2 功率放大器的设计 | 第35-44页 |
| 3.2.1 两级功率放大器的结构 | 第36页 |
| 3.2.2 功率晶体管的确定 | 第36-38页 |
| 3.2.3 匹配网络的设计 | 第38-40页 |
| 3.2.4 偏置网络的设计 | 第40-44页 |
| 3.3 功率放大器的仿真分析与对比 | 第44-48页 |
| 3.4 本章总结 | 第48-49页 |
| 第4章 CMOS电源调制器的设计 | 第49-84页 |
| 4.1 OFDM调制信号的能量特点 | 第49-50页 |
| 4.2 电源调制器的结构 | 第50-51页 |
| 4.3 电源调制器的设计 | 第51-67页 |
| 4.3.1 线性放大器的优化设计 | 第51-57页 |
| 4.3.2 自举基准电流源和偏置电路 | 第57-59页 |
| 4.3.3 电流反馈控制级的设计 | 第59-62页 |
| 4.3.4 同步Buck DC-DC变换器 | 第62-63页 |
| 4.3.5 开关电源前置电路的设计 | 第63-67页 |
| 4.4 电源调制器的损耗分析 | 第67-69页 |
| 4.4.1 线性放大器损耗分析 | 第67-68页 |
| 4.4.2 开关电源损耗分析 | 第68-69页 |
| 4.5 电源调制器的性能分析 | 第69-77页 |
| 4.5.1 电源调制器的完整电路 | 第69-70页 |
| 4.5.2 单音正弦信号性能分析 | 第70-77页 |
| 4.6 电源调制器的仿真分析 | 第77-83页 |
| 4.6.1 电源调制器的性能仿真 | 第77-78页 |
| 4.6.2 电源调制器的功能验证 | 第78-83页 |
| 4.7 本章小结 | 第83-84页 |
| 第5章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 总结 | 第84-85页 |
| 5.2 展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 | 第90页 |
