| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 空间辐射环境及效应 | 第10-15页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第10-11页 |
| 1.2.2 空间辐射效应 | 第11-12页 |
| 1.2.3 总剂量效应形成机制 | 第12-15页 |
| 1.3 4T-PPD COMS图像传感器的总剂量效应研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3.1 4T-PPD COMS图像传感器总剂量地面模拟试验 | 第15-17页 |
| 1.3.2 4T-PPD CMOS图像传感器总剂量效应仿真模拟 | 第17-18页 |
| 1.4 研究的目的及内容 | 第18-19页 |
| 第2章 4T-PPD CMOS图像传感器概述 | 第19-28页 |
| 2.1 CMOS图像传感器的发展及应用 | 第19-21页 |
| 2.2 CMOS图像传感器的基本结构 | 第21-23页 |
| 2.3 4T-PPD CMOS图像传感器像素单元的工作原理 | 第23-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 4T-PPD COMS图像传感器像素单元仿真模型 | 第28-40页 |
| 3.1 像素单元仿真模拟的器件模型 | 第28-30页 |
| 3.2 像素单元仿真模拟的物理模型 | 第30-33页 |
| 3.3 像素单元仿真模拟优化及模型校验 | 第33-38页 |
| 3.3.1 像素单元的复位管阈值调节 | 第33-35页 |
| 3.3.2 钳位光电二极管的光电效应 | 第35-36页 |
| 3.3.3 像素单元的光生电子的动态转移 | 第36-37页 |
| 3.3.4 像素单元的总剂量辐射模型 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 总剂量效应诱发暗电流退化规律分析及仿真模拟 | 第40-53页 |
| 4.1 暗电流产生机理 | 第40-44页 |
| 4.2 总剂量效应诱发暗电流退化的试验规律 | 第44-46页 |
| 4.3 总剂量效应诱发暗电流退化的仿真模拟 | 第46-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 总剂量效应诱发图像滞留退化规律分析及仿真模拟 | 第53-63页 |
| 5.1 图像滞留产生机理 | 第53-54页 |
| 5.2 总剂量效应诱发图像滞留退化的试验规律 | 第54-55页 |
| 5.3 总剂量效应诱发图像滞留退化的仿真模拟 | 第55-61页 |
| 5.3.1 基于电荷转移路径的势阱模型 | 第55-58页 |
| 5.3.2 基于电荷转移路径的势垒模型 | 第58-60页 |
| 5.3.3 基于电荷转移路径的势阱与势垒的混合模型 | 第60-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第6章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第73-74页 |
