| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 主要符号表 | 第16-17页 |
| 1 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.1.1 爆炸箔起爆技术 | 第17页 |
| 1.1.2 适用于爆炸箔起爆器高压开关技术 | 第17-18页 |
| 1.1.3 本文的研究意义 | 第18页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第18-25页 |
| 1.2.1 爆炸箔起爆技术的研究概况 | 第18-21页 |
| 1.2.2 适用于爆炸箔起爆器的高压开关研究 | 第21-25页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 2 电爆炸等离子体开关的结构设计 | 第27-38页 |
| 2.1 电爆炸等离子体开关的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.1.1 平面电爆炸开关工作原理 | 第27-28页 |
| 2.1.2 肖特基单触发开关工作原理 | 第28页 |
| 2.2 平面电爆炸开关结构仿真设计 | 第28-33页 |
| 2.2.1 触发电极的电热仿真设计 | 第28-32页 |
| 2.2.2 主电极间隙结构设计 | 第32-33页 |
| 2.3 肖特基单触发开关的集成设计 | 第33-37页 |
| 2.3.1 上电极形状和模具的设计 | 第33-35页 |
| 2.3.2 肖特基单触发开关元件 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 电爆炸等离子体开关的制备与表征 | 第38-58页 |
| 3.1 平面复合薄膜电爆炸开关的制备与表征 | 第38-50页 |
| 3.1.1 Cu-Al/CuO复合桥膜的制备 | 第38-43页 |
| 3.1.2 Al/CuO复合薄膜的表征 | 第43-44页 |
| 3.1.3 复合桥箔和单质铜桥箔电爆炸特性 | 第44-47页 |
| 3.1.4 复合桥膜和单质铜桥膜电爆炸温度特性 | 第47-50页 |
| 3.1.5 平面复合爆炸电爆炸开关制备 | 第50页 |
| 3.2 肖特基单触发开关的制备与表征 | 第50-56页 |
| 3.2.1 肖特基二极管的制备 | 第50-51页 |
| 3.2.2 电介质材料的制备与表征 | 第51-54页 |
| 3.2.3 电极烧蚀材料制备与表征 | 第54-55页 |
| 3.2.4 肖特基单触发开关的制备 | 第55-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 电爆炸等离子体开关的电气特性分析 | 第58-90页 |
| 4.1 开关特性参数与实验平台 | 第58-61页 |
| 4.1.1 开关特性参数 | 第58页 |
| 4.1.2 实验平台 | 第58-61页 |
| 4.2 平面电爆炸开关特性规律分析 | 第61-65页 |
| 4.2.1 典型测试曲线 | 第61-62页 |
| 4.2.2 不同状态对峰值电流的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.3 不同状态对上升时间和延迟时间的影响 | 第63-64页 |
| 4.2.4 不同状态下开关图像分析 | 第64-65页 |
| 4.3 肖特基单触发开关触发极性效应分析 | 第65-74页 |
| 4.3.1 触发极性效应 | 第65-69页 |
| 4.3.2 肖特基二极管电爆炸等离子体电荷通量特性分析 | 第69-71页 |
| 4.3.3 肖特基二极管电爆炸等离子体电子温度和密度 | 第71-74页 |
| 4.4 肖特基单触发开关导通特性研究 | 第74-82页 |
| 4.4.1 典型测试曲线 | 第74-76页 |
| 4.4.2 电介质材料对导通特性的影响 | 第76-77页 |
| 4.4.3 主电压对导通特性的影响 | 第77-78页 |
| 4.4.4 封装材料对导通特性的影响 | 第78-81页 |
| 4.4.5 不同面积的SBD对导通特性的影响 | 第81-82页 |
| 4.5 肖特基单触发开关触发特性研究 | 第82-85页 |
| 4.5.1 触发电容器的影响 | 第82-83页 |
| 4.5.2 不同类型二极管的影响 | 第83-85页 |
| 4.6 开关电阻分析 | 第85-87页 |
| 4.7 平面电爆炸开关与肖特基单触发开关性能对比 | 第87-88页 |
| 4.8 本章小结 | 第88-90页 |
| 5 肖特基单触发开关作用机理研究 | 第90-109页 |
| 5.1 肖特基单触发开关电弧温度诊断 | 第90-93页 |
| 5.1.1 实验平台 | 第90-91页 |
| 5.1.2 开关电弧温度分析 | 第91-93页 |
| 5.2 肖特基二极管电爆炸冲击应力特性分析 | 第93-98页 |
| 5.2.1 PVDF压力传感器测试原理 | 第93-94页 |
| 5.2.2 PVDF动态标定 | 第94-96页 |
| 5.2.3 实验结果与分析 | 第96-98页 |
| 5.3 肖特基单触发开关电阻模型 | 第98-108页 |
| 5.3.1 理论模型 | 第98-101页 |
| 5.3.2 仿真结果与分析 | 第101-108页 |
| 5.4 本章小结 | 第108-109页 |
| 6 总结与展望 | 第109-111页 |
| 6.1 研究结论 | 第109-110页 |
| 6.2 主要创新点 | 第110页 |
| 6.3 展望及建议 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-119页 |
| 附录 | 第119-120页 |