| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 场致发射的原理 | 第11-15页 |
| 1.2.1 金属场致发射的机理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 半导体材料的场致发射机理 | 第13-15页 |
| 1.3 ZnO半导体纳米材料概述 | 第15-18页 |
| 1.3.1 ZnO材料的结构和性质 | 第15-17页 |
| 1.3.2 制备ZnO纳米材料的方法 | 第17-18页 |
| 1.4 ZnO纳米材料场致电子发射的研究现状与进展 | 第18-20页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容 | 第20-24页 |
| 第二章 实验方案及样品表征手段 | 第24-34页 |
| 2.1 ZnO种子层薄膜的实验方案 | 第24-26页 |
| 2.1.1 种子层的实验方案 | 第24页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶所用的化学试剂和仪器 | 第24-25页 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶工艺流程和反应机理 | 第25-26页 |
| 2.2 ZnO纳米线阵列的实验方案 | 第26-28页 |
| 2.2.1 水热法制备ZnO纳米线阵列的实验法案 | 第26页 |
| 2.2.2 水热所用的化学试剂和仪器 | 第26-27页 |
| 2.2.3 水热工艺流程和反应机理 | 第27-28页 |
| 2.3 样品的表征 | 第28-30页 |
| 2.3.1 ZnO纳米线阵列的结构表征 | 第28-29页 |
| 2.3.2 ZnO纳米线阵列的形貌表征 | 第29-30页 |
| 2.3.3 ZnO纳米线阵列的成分表征 | 第30页 |
| 2.3.4 ZnO纳米线阵列的原子键合结构表征 | 第30页 |
| 2.4 ZnO纳米线阵列的光学性质表征 | 第30-31页 |
| 2.5 ZnO纳米线阵列的场发射性能表征 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 ZnO纳米线阵列的制备及场发射性能 | 第34-58页 |
| 3.1 ZnO纳米线阵列实验方案 | 第34-36页 |
| 3.1.1 溶胶-凝胶法制备种子层工艺方案 | 第34页 |
| 3.1.2 种子层制备工艺流程 | 第34-35页 |
| 3.1.3 ZnO纳米线阵列正交实验方案 | 第35-36页 |
| 3.1.4 ZnO纳米线阵列制备工艺流程 | 第36页 |
| 3.2 ZnO纳米线阵列的结构分析和形貌表征 | 第36-50页 |
| 3.2.1 ZnO材料的XRD表征 | 第36-40页 |
| 3.2.2 ZnO材料的SEM表征 | 第40-44页 |
| 3.2.3 ZnO纳米线阵列的EDS表征 | 第44-45页 |
| 3.2.4 ZnO纳米线阵列的正交实验结果分析 | 第45-50页 |
| 3.3 优化工艺参数的验证 | 第50-56页 |
| 3.3.1 ZnO纳米线阵列的结构与形貌分析 | 第50-53页 |
| 3.3.2 ZnO纳米线阵列的生长机理 | 第53页 |
| 3.3.3 ZnO纳米线阵列发光和场发射特性研究 | 第53-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 Al掺杂ZnO纳米线阵列制备及场发射性能 | 第58-80页 |
| 4.1 Al:4.5%掺杂对ZnO纳米线阵列的影响 | 第58-64页 |
| 4.1.1 Al:4.5%掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第58-59页 |
| 4.1.2 Al:4.5%掺杂ZnO纳米线阵列的表征 | 第59-61页 |
| 4.1.3 Al:4.5%掺杂ZnO纳米线阵列的光学与场发射分析 | 第61-63页 |
| 4.1.4 本征与Al:4.5%掺杂ZnO纳米线阵列的场发射性能比较 | 第63-64页 |
| 4.2 基于ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的研究 | 第64-71页 |
| 4.2.1 基于ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第64-65页 |
| 4.2.2 基于ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的表征 | 第65-68页 |
| 4.2.3 基于ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列光学性质研究 | 第68-69页 |
| 4.2.4 基于ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列场发射性质研究 | 第69-71页 |
| 4.3 基于Al-ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的研究 | 第71-78页 |
| 4.3.1 基于Al-ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第71-72页 |
| 4.3.2 基于Al-ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列的表征 | 第72-75页 |
| 4.3.3 基于Al-ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列光学性质研究 | 第75-76页 |
| 4.3.4 基于Al-ZnO种子层的Al掺杂ZnO纳米线阵列场发射性质研究 | 第76-78页 |
| 4.4 两种不同方式的Al掺杂ZnO纳米线阵列的场发射比较 | 第78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 其它元素掺杂ZnO纳米线阵列制备及场发射性能 | 第80-96页 |
| 5.1 La掺杂ZnO纳米线阵列的研究 | 第80-87页 |
| 5.1.1 La掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第80页 |
| 5.1.2 La掺杂ZnO纳米线阵列的结构与形貌表征 | 第80-85页 |
| 5.1.3 La掺杂ZnO纳米线阵列的光学性质研究 | 第85-86页 |
| 5.1.4 La掺杂ZnO纳米线阵列的场发射性质研究 | 第86-87页 |
| 5.2 Cr掺杂ZnO纳米线阵列的研究 | 第87-94页 |
| 5.2.1 Cr掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第87-88页 |
| 5.2.2 Cr掺杂ZnO纳米线阵列的结构与形貌表征 | 第88-92页 |
| 5.2.3 Cr掺杂ZnO纳米线阵列的光学性质研究 | 第92-93页 |
| 5.2.4 Cr掺杂ZnO纳米线阵列的场发射性质研究 | 第93-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 6.1 本文的总结 | 第96-97页 |
| 6.2 今后的工作展望 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-112页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
