| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·Sm_2O_3的研究现状及应用 | 第10-14页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·氧化钐的性质 | 第10页 |
| ·氧化钐的研究现状 | 第10-13页 |
| ·氧化钐的应用 | 第13-14页 |
| ·紫外光电探测器的原理和结构 | 第14-19页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·光电探测器的原理 | 第14-16页 |
| ·光电探测器的分类 | 第16-18页 |
| ·紫外探测材料的种类 | 第18-19页 |
| ·论文主要内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 试验方法及原理 | 第24-32页 |
| ·薄膜制备方法 | 第24-28页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射法 | 第25-28页 |
| ·样品的表征方法 | 第28-30页 |
| ·X射线衍射 | 第28页 |
| ·紫外-可见光吸收光谱 | 第28页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备Sm_2O_3薄膜及其异质结构 | 第32-42页 |
| ·概述 | 第32页 |
| ·Sm_2O_3薄膜的制备与表征 | 第32-40页 |
| ·实验原料与仪器 | 第32页 |
| ·Sm_2O_3薄膜的制备方法及流程 | 第32-34页 |
| ·Sm_2O_3薄膜的表征 | 第34-36页 |
| ·Sm_2O_3/n-Si异质结电学性能的测量 | 第36-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 射频磁控溅射法制备Sm_2O_3薄膜及其异质结构 | 第42-59页 |
| ·概述 | 第42页 |
| ·Sm_2O_3薄膜的制备 | 第42-48页 |
| ·基底的清洗 | 第43页 |
| ·射频磁控溅射法制备薄膜的实验过程 | 第43页 |
| ·工艺参数对Sm_2O_3薄膜的影响 | 第43-48页 |
| ·磁控溅射制备的Sm_2O_3薄膜的表征 | 第48-51页 |
| ·Sm_2O_3薄膜形貌的表征 | 第48-50页 |
| ·Sm_2O_3薄膜光学性能的分析 | 第50-51页 |
| ·Sm_2O_3/n-Si异质结的制备及表征 | 第51-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 基于Sm_2O_3/n-Si异质结的紫外光电探测器的设计 | 第59-64页 |
| ·概述 | 第59页 |
| ·Sm_2O_3/n-Si异质结的封装 | 第59-60页 |
| ·封装后异质结电学性能的测试 | 第60页 |
| ·外围电路的设计 | 第60-62页 |
| ·元器件的选择 | 第60-61页 |
| ·电路设计 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·展望 | 第64-66页 |
| 硕士期间学术成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
