基于BCB键合技术的MEMS电场传感器的设计与制造
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-23页 |
| ·电场传感器概述 | 第8-10页 |
| ·机械式电场传感器 | 第8页 |
| ·光学式电场传感器 | 第8-9页 |
| ·机械式电场传感器及光学式电场传感器的缺点 | 第9页 |
| ·基于 MEMS 技术的新型电场传感器的优势 | 第9-10页 |
| ·基于 MEMS 技术的新型电场传感器 | 第10-21页 |
| ·感应电流产生原理 | 第10页 |
| ·常用的激振方式及其原理 | 第10-12页 |
| ·常用的屏蔽电极振动方式及发展现状 | 第12-19页 |
| ·现有 MEMS 电场传感器小结及方案初步选定 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| ·电场传感器的结构设计 | 第22页 |
| ·工艺流程设计 | 第22页 |
| ·电场传感器制造 | 第22-23页 |
| 第二章 电场传感器的结构设计 | 第23-50页 |
| ·感应部分设计 | 第23-29页 |
| ·驱动部分设计 | 第29-46页 |
| ·驱动梁长度对驱动位移影响 | 第33-34页 |
| ·驱动梁宽度对驱动位移影响 | 第34-35页 |
| ·驱动梁弯曲角度对驱动位移影响 | 第35-36页 |
| ·杠杆结构对驱动位移影响 | 第36-43页 |
| ·驱动部分设计总结 | 第43-46页 |
| ·传感器整体结构 | 第46-49页 |
| ·传感器设计总结 | 第49-50页 |
| 第三章 工艺流程设计 | 第50-63页 |
| ·双层感应电极工艺 | 第50-51页 |
| ·屏蔽电极与感应电极隔离 | 第51页 |
| ·屏蔽电极悬空结构释放 | 第51-52页 |
| ·整体工艺流程设计 | 第52-55页 |
| ·真空封装设计 | 第55-62页 |
| ·信号的引入与引出 | 第55-56页 |
| ·各向同性刻蚀释放悬空结构 | 第56-57页 |
| ·金属微凸点-BCB 混合键合 | 第57-58页 |
| ·真空封装整体流程设计 | 第58-62页 |
| ·工艺流程设计小结 | 第62-63页 |
| 第四章 工艺制造 | 第63-95页 |
| ·淀积 SiO2绝缘层 | 第63-65页 |
| ·制作第一层感应电极 | 第65-67页 |
| ·淀积两层电极之间隔离层 | 第67页 |
| ·双面光刻二氧化硅层制作对准标记 | 第67-68页 |
| ·制作第二层电极 | 第68-70页 |
| ·旋涂 BCB 层 | 第70-71页 |
| ·部分固化 BCB 刻蚀 | 第71-85页 |
| ·SF6比例对于刻蚀速度的影响 | 第74-75页 |
| ·SF6比例对刻蚀各向异性的影响 | 第75-76页 |
| ·刻蚀腔压对刻蚀速度的影响 | 第76-77页 |
| ·刻蚀腔压对刻蚀各向异性的影响 | 第77-79页 |
| ·RF 功率对刻蚀速率的影响 | 第79-80页 |
| ·RF 功率对于刻蚀各向异性的影响 | 第80-82页 |
| ·交联程度和负载效应对于刻蚀效果的影响 | 第82-84页 |
| ·正式片 BCB 预刻蚀 | 第84-85页 |
| ·BCB 键合 | 第85-86页 |
| ·CMP 减薄 | 第86-91页 |
| ·酸法减薄 | 第91-92页 |
| ·金属层制作 | 第92-93页 |
| ·悬空结构释放 | 第93-94页 |
| ·工艺制造总结 | 第94-95页 |
| 第五章 结论和展望 | 第95-97页 |
| ·本论文的主要成果 | 第95-96页 |
| ·本论文的展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第103页 |
