晶核预控制的多晶硅薄膜晶化技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·TFT-LCD 技术 | 第9-11页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·TFT-LCD 技术的研究现状 | 第10-11页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第11-17页 |
| ·多晶硅薄膜结构及其物理特性 | 第11-13页 |
| ·多晶硅薄膜的应用及其研究现状 | 第13-15页 |
| ·多晶硅薄膜制备技术 | 第15-17页 |
| ·固相晶化技术 | 第17-21页 |
| ·晶核的形成及晶粒的生长 | 第18-20页 |
| ·晶核预控技术 | 第20-21页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验设备及材料的表征方法 | 第23-27页 |
| ·实验设备 | 第23-24页 |
| ·材料的表征方法 | 第24-27页 |
| ·拉曼光谱仪（Raman） | 第24-25页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第25-26页 |
| ·霍尔效应（Hall）测试仪 | 第26-27页 |
| 第三章 氢等离子体辅助晶化技术 | 第27-44页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·晶化前驱物的制备 | 第27-28页 |
| ·多晶硅薄膜的晶化 | 第28页 |
| ·氢等离子体辅助晶化技术的研究 | 第28-42页 |
| ·氢等离子体气压对薄膜晶化的影响 | 第28-34页 |
| ·氢等离子体功率对薄膜晶化的影响 | 第34-39页 |
| ·氢等离子体作用时间对薄膜晶化的影响 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 非晶硅薄膜特性及其对固相晶化影响的研究 | 第44-56页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·非晶硅薄膜特性及其对固相晶化影响的研究 | 第45-55页 |
| ·反应气压对非晶硅薄膜特性的影响 | 第45-47页 |
| ·辉光功率对非晶硅薄膜特性的影响 | 第47-50页 |
| ·沉积温度对非晶硅薄膜特性的影响 | 第50-52页 |
| ·晶化前驱物对固相晶化的影响 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
