| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 1 绪论 | 第13-41页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体及其研究概况 | 第13-21页 |
| ·稀磁半导体的发展概况 | 第13-15页 |
| ·In_2O_3的结构及主要性质 | 第15-16页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体的研究现状及存在问题 | 第16-19页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源和机制 | 第19-21页 |
| ·钙钛矿锰氧化物及其研究概况 | 第21-30页 |
| ·晶格和电子结构 | 第21-23页 |
| ·磁结构与相图 | 第23-25页 |
| ·钙钛矿锰氧化物的庞磁电阻效应 | 第25-27页 |
| ·提高 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3相转变温度的研究概况 | 第27-30页 |
| ·本论文的思路和工作安排 | 第30-31页 |
| ·参考文献 | 第31-41页 |
| 2 样品制备及其表征方法 | 第41-61页 |
| ·前言 | 第41页 |
| ·样品的制备 | 第41-50页 |
| ·粉末样品的制备方法--固相反应法 | 第41-42页 |
| ·粉末样品的真空退火 | 第42-43页 |
| ·薄膜样品的制备方法—脉冲激光沉积技术 | 第43-50页 |
| ·脉冲激光沉积系统的主要组成部分 | 第44-45页 |
| ·脉冲激光沉积的原理 | 第45-47页 |
| ·脉冲激光沉积技术的优势与不足 | 第47-48页 |
| ·薄膜样品的制备过程 | 第48-50页 |
| ·样品的分析表征方法 | 第50-57页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第50-51页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第51-52页 |
| ·透射电子显微镜 | 第52-53页 |
| ·原子力显微镜 | 第53-54页 |
| ·X 射线光电子谱 | 第54-55页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第55-56页 |
| ·霍耳效应 | 第56-57页 |
| ·参考文献 | 第57-61页 |
| 3 Ni 掺杂 In_2O_3的结构和磁学性能 | 第61-81页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验过程 | 第61-62页 |
| ·结果和讨论 | 第62-77页 |
| ·烧结温度对(In_(1-x)Ni_x)_2O_3粉末结构和磁性的影响 | 第62-64页 |
| ·真空退火对(In_(1-x)Ni_x)_2O_3粉末结构和磁性的影响 | 第64-71页 |
| ·空气-真空反复退火对(In_(1-x)Ni_x)_2O_3粉末结构和磁性的影响 | 第71-74页 |
| ·(In_(1-x)Ni_x)_2O_3粉末中氧空位浓度的计算 | 第74页 |
| ·(In_(1-x)Ni_x)_2O_3粉末铁磁性的可能来源 | 第74-75页 |
| ·真空退火对其它几种氧化物的结构和磁性的影响 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| ·参考文献 | 第78-81页 |
| 4 单层 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3和La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的制备 | 第81-95页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·实验过程 | 第81-82页 |
| ·结果和讨论 | 第82-91页 |
| ·单层 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的结构、磁性和输运性质 | 第82-86页 |
| ·单层 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的结构、磁性和输运性质 | 第86-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| ·参考文献 | 第92-95页 |
| 5 几种异质结构对 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3的磁性和输运性质的影响 | 第95-105页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·实验过程 | 第95-96页 |
| ·结果和讨论 | 第96-102页 |
| ·几种异质结构的形貌与组成 | 第96-98页 |
| ·几种异质结构的磁性和输运性质 | 第98-101页 |
| ·金属-绝缘体转变温度提高的可能机制 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| ·参考文献 | 第103-105页 |
| 6 结论 | 第105-107页 |
| 论文创新点 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第111页 |
