| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-21页 |
| ·电子俘获光存储材料的研究进展 | 第11-16页 |
| ·电子俘获光存储材料的表征方式 | 第16-19页 |
| ·电子俘获光存储材料待解决的几个问题 | 第19-21页 |
| 2 实验 | 第21-27页 |
| ·材料的制备 | 第21-23页 |
| ·仪器及测试方法 | 第23-27页 |
| 3 BaFCl:Eu~(2+)的光存储性质及一些机理问题的研究 | 第27-49页 |
| ·BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)系列样品的检测 | 第27-29页 |
| ·BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)的光存储性质 | 第29-33页 |
| ·BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)的光存储机理 | 第33-48页 |
| ·BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)在光信息写入和读出过程中的能量传递过程的研究 | 第33-43页 |
| ·BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)中空穴陷阱的研究 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 BaFX:Eu~(2+)(X=Cl,Br)一些实用化问题的研究 | 第49-75页 |
| ·提高存储屏分辨率问题的研究 | 第49-64页 |
| ·将BaFBr:Eu~(2+)嵌入氧化物玻璃陶瓷的研究 | 第49-59页 |
| ·BaFX(X=Cl,Br)纳米材料制备的研究 | 第59-64页 |
| ·光激励波长红移以匹配激光器的读出波长的研究 | 第64-74页 |
| ·通过对BaFX:Eu~(2+)(X=Cl,Br)材料适当修饰以减小电子陷阱的深度 | 第64-65页 |
| ·新材料体系的探索 | 第65-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 5 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 作者简历 | 第83-86页 |
| 学位论文数据集 | 第86页 |
