| 中文摘要 | 第1-13页 |
| 英文摘要 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-36页 |
| ·电子材料概况 | 第16页 |
| ·印刷电路板的发展 | 第16-18页 |
| ·印刷电路板在电子设备中的地位和功能 | 第18-19页 |
| ·电路板的结构和类型 | 第19-20页 |
| ·印刷电路板的腐蚀 | 第20-30页 |
| ·腐蚀效应 | 第20-22页 |
| ·电子材料的腐蚀 | 第22-26页 |
| ·印刷电路板的腐蚀 | 第26-30页 |
| 本论文的研究目的和设想 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 一维Cl~-和pH阵列探针的研制 | 第36-52页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-42页 |
| ·试液 | 第37页 |
| ·工作电极结构 | 第37页 |
| ·电极电位测量装置 | 第37-38页 |
| ·一维pH阵列探针的制备 | 第38-42页 |
| ·一维氯离子选择性阵列探针的制备 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-47页 |
| ·WO~3电极的性能 | 第42-44页 |
| ·Ir/IrO_x一维阵列电极的性能 | 第44-45页 |
| ·Ag/AgCl一维阵列电极的性能 | 第45-47页 |
| 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 第三章 印刷电路板缝隙腐蚀过程缝隙内pH、Cl~-浓度分布的测量 | 第52-66页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验 | 第53-54页 |
| ·试液 | 第53页 |
| ·工作电极的结构 | 第53-54页 |
| ·Cl~-/pH复合阵列探针的制备 | 第54页 |
| ·实验测试装置 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-63页 |
| ·模拟电路板缝隙的宽度对缝隙腐蚀的影响 | 第54-55页 |
| ·Ag/AgCl、Ir/IrO_x阵列电极镀层厚度的测量 | 第55页 |
| ·缝隙内电路板的腐蚀电位、pH及Cl~-浓度分布的测量 | 第55-61页 |
| ·缝隙腐蚀的机理 | 第61-63页 |
| 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 NaCl溶液中几种缓蚀剂对印刷电路板的缓蚀作用 | 第66-96页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验 | 第67-70页 |
| ·实验材料及试液 | 第67-68页 |
| ·电化学测试 | 第68-69页 |
| ·表面分析 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-85页 |
| ·极化曲线和阻抗法测量单一缓蚀剂的缓蚀作用 | 第70-79页 |
| ·单一缓蚀剂缓蚀作用的XRD表征 | 第79页 |
| ·极化曲线和阻抗法测量复配缓蚀剂的缓蚀作用 | 第79-82页 |
| ·复配缓蚀剂缓蚀作用的循环伏安测试 | 第82-83页 |
| ·不同缓蚀剂缓蚀效率的比较 | 第83-84页 |
| ·腐蚀电位随浸泡时间的变化 | 第84-85页 |
| ·不同缓蚀剂的缓蚀机理及复配缓蚀剂的协同效应 | 第85-92页 |
| ·单一缓蚀剂的缓蚀机理 | 第85-88页 |
| ·复配缓蚀剂的缓蚀机理 | 第88-92页 |
| 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 扫描Kelvin探针和CCD图像传感器联合研究铜/焊锡界面局部腐蚀行为 | 第96-113页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·CCD图像传感器 | 第96-97页 |
| ·CCD工作原理 | 第96-97页 |
| ·CCD特点 | 第97页 |
| ·扫描Kelvin探针技术 | 第97-98页 |
| ·实验 | 第98-101页 |
| ·印刷电路板和纯铜的XRD表征 | 第98-99页 |
| ·电极材料和试液 | 第99-100页 |
| ·焊锡电极与铜电极的电化学测试 | 第100-101页 |
| ·铜/焊锡电极表面形貌的测试 | 第101页 |
| ·铜/焊锡界面微区电位分布的测试 | 第101页 |
| ·结果与讨论 | 第101-109页 |
| ·电化学测试 | 第101-104页 |
| ·铜/焊锡电极表面形貌的变化 | 第104-105页 |
| ·铜/焊锡电极表面微区电位分布的变化 | 第105-109页 |
| 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 第六章 结论 | 第113-115页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表与交流的论文 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
