| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·电致变色器件的结构及材料研究 | 第9-13页 |
| ·透明导电层（Transparent Conducting Layer） | 第9-10页 |
| ·电致变色层（Electrochromic Layer） | 第10-12页 |
| ·离子导体层（Iron Conducting Layer） | 第12-13页 |
| ·离子存储层（Ion Storage Layer） | 第13页 |
| ·电致变色器件的工作原理 | 第13-14页 |
| ·电致变色器件离子存储材料的研究 | 第14-16页 |
| ·普鲁士蓝（PB） | 第15页 |
| ·IrO_2薄膜 | 第15页 |
| ·NiO_x 薄膜 | 第15页 |
| ·V_2O_5 薄膜 | 第15-16页 |
| ·V_2O_5 薄膜的微观结构 | 第16-17页 |
| ·V_2O_5 薄膜的晶体结构 | 第16-17页 |
| ·V_2O_5 薄膜的能带结构 | 第17页 |
| ·V_2O_5 薄膜的应用 | 第17-18页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第18-19页 |
| 2 薄膜的制备工艺 | 第19-27页 |
| ·几种常用的薄膜制备工艺 | 第19-20页 |
| ·溅射沉积法 | 第19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·真空蒸发沉积法 | 第20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20页 |
| ·电化学沉积法 | 第20页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第20-24页 |
| ·溅射机理及特点 | 第21-22页 |
| ·溅射类型 | 第22-24页 |
| ·射频磁控反应溅射原理 | 第24页 |
| ·溅射掺杂机理及方法 | 第24-27页 |
| ·溅射掺杂机理 | 第24-25页 |
| ·射频溅射掺杂方法 | 第25-27页 |
| 3 实验 | 第27-32页 |
| ·实验任务及要求 | 第27页 |
| ·实验设备及原材料 | 第27-28页 |
| ·实验设备及仪器 | 第27-28页 |
| ·原材料及试剂 | 第28页 |
| ·薄膜试样的制备 | 第28-30页 |
| ·V_2O_5 薄膜试样的制备 | 第28-29页 |
| ·V_2O_5 : Ni 薄膜试样的制备 | 第29页 |
| ·实验步骤 | 第29-30页 |
| ·薄膜的性能检测 | 第30-32页 |
| ·薄膜结构、组成的检测 | 第30页 |
| ·薄膜光学及电化学性能的检测 | 第30-32页 |
| 4 V_2O_5 离子存储薄膜的特性研究 | 第32-43页 |
| ·V_2O_5 薄膜的特性研究 | 第32-36页 |
| ·V_2O_5 薄膜的光学性能研究 | 第32-33页 |
| ·V_2O_5 薄膜电化学性能研究 | 第33-36页 |
| ·工艺参数对V_2O_5 薄膜电化学性能的影响 | 第36-42页 |
| ·氧分量对薄膜电化学性能的影响 | 第36-38页 |
| ·溅射功率对薄膜电化学性能的影响 | 第38-40页 |
| ·溅射温度对薄膜电化学性能的影响 | 第40-41页 |
| ·其它因素薄膜性能的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 V_2O_5 : NI 离子存储薄膜的特性及结构研究 | 第43-52页 |
| ·掺杂参数对V_2O_5 : NI 薄膜电化学性能的影响 | 第43-47页 |
| ·相对掺杂量对薄膜电化学性能的影响 | 第43-45页 |
| ·掺杂方式对薄膜电化学性能的影响 | 第45-47页 |
| ·V_2O_5 薄膜的NI 掺杂改性研究 | 第47-51页 |
| ·V_2O_5 及V_2O_5 : Ni 薄膜的XRD 分析 | 第47页 |
| ·V_2O_5 : Ni 薄膜的XPS 分析 | 第47-50页 |
| ·Ni 掺杂改性研究 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 6 结论及展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录 | 第58页 |
