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MEMS可调谐垂直腔半导体光放大器的调谐特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-17页
   ·VCSOA的起源及发展第9-11页
   ·MEMS的基本概念与发展历史第11-13页
   ·MEMS可调谐VCSOA的结构及特点第13-15页
   ·本文研究工作第15-17页
第2章 理论基础与模型第17-25页
   ·引言第17页
   ·薄膜光学理论第17-20页
     ·特征矩阵第17-19页
     ·多层介质高反射膜第19页
     ·单层增透膜第19-20页
   ·MT-VCSOA传输矩阵模型第20-24页
   ·小结第24-25页
第3章 SCC结构MT-VCSOA的调谐特性分析第25-37页
   ·引言第25-26页
   ·模型主要参数第26-28页
   ·SCC结构MT-VCSOA的调谐特性第28-35页
     ·不同空腔长度时增益与波长的关系第28-29页
     ·载流子浓度及顶层DBR周期数对极值增益及带宽的影响第29-32页
     ·谐振波长与空腔长度的关系第32-34页
     ·量子阱堆位置对MT-VCSOA调谐特性的影响第34-35页
   ·小结第35-37页
第4章 EC结构MT-VCSOA的调谐特性分析第37-45页
   ·引言第37-38页
   ·数值模拟及参数第38-40页
   ·EC结构MT-VCSOA的调谐特性第40-43页
     ·载流子浓度对增益及带宽的影响第40-41页
     ·顶层DBR膜层周期数对增益及带宽的影响第41-43页
   ·小结第43-45页
结论第45-47页
致谢第47-48页
参考文献第48-53页
攻读硕士学位期间发表的论文第53页

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