摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-14页 |
第1章 绪论 | 第14-24页 |
·引言 | 第14页 |
·电源管理集成电路的现状和发展趋势 | 第14-18页 |
·电源管理集成电路的现状 | 第14-16页 |
·电源管理集成电路的发展趋势 | 第16-18页 |
·高品质电源管理集成电路的特点 | 第18-21页 |
·高可靠性 | 第19-20页 |
·可靠性的基本概念 | 第19页 |
·提高电源管理集成电路可靠性的措施 | 第19-20页 |
·稳定性 | 第20-21页 |
·高精度 | 第21页 |
·论文研究的主要内容和结构安排 | 第21-24页 |
·论文研究的主要内容 | 第21-22页 |
·结构安排 | 第22-24页 |
第2章 电源管理集成电路的可靠性设计 | 第24-36页 |
·过压保护电路 | 第24-26页 |
·欠压保护电路 | 第26-28页 |
·过流保护电路 | 第28-31页 |
·过热保护电路 | 第31-34页 |
·软启动保护电路 | 第34页 |
·本章小结 | 第34-36页 |
第3章 高可靠电源管理热插拔控制器的研究与设计 | 第36-50页 |
·电路结构设计 | 第36-38页 |
·设计目标 | 第36页 |
·模块定义 | 第36-38页 |
·控制策略设计 | 第38-41页 |
·正常工作状态 | 第39-40页 |
·过流保护状态 | 第40页 |
·过压保护状态 | 第40-41页 |
·仿真结果、版图设计以及测试结果 | 第41-48页 |
·仿真结果 | 第41-47页 |
·版图设计 | 第47-48页 |
·测试结果 | 第48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第4章 电源管理集成电路的稳定性研究 | 第50-66页 |
·电源对芯片稳定可靠性的影响 | 第50-53页 |
·负载变化对芯片稳定可靠性的影响 | 第53-57页 |
·负载瞬态响应的定义 | 第53-54页 |
·负载瞬态响应的关键 | 第54页 |
·负载瞬态响应 | 第54-57页 |
·电流增加负载瞬变 | 第54-56页 |
·电流降低负载瞬变 | 第56页 |
·两种负载瞬变情况的比较 | 第56-57页 |
·负载瞬态响应的优化 | 第57页 |
·温度变化对芯片稳定可靠性的影响 | 第57-64页 |
·温度对晶体管参数的影响和减小温度影响的措施 | 第58-62页 |
·分压式偏置电路 | 第59-60页 |
·恒流源偏置电路 | 第60-62页 |
·温度对 MOS管参数的影响 | 第62-64页 |
·本章小结 | 第64-66页 |
第5章 高稳定线性稳压器 LDO的研究与设计 | 第66-78页 |
·LDO线性稳压器的基本原理 | 第66-69页 |
·LDO线性稳压器的设计 | 第69-74页 |
·基准电压源模块 | 第69-71页 |
·误差放大器的设计 | 第71-74页 |
·输出和反馈电路的设计 | 第74页 |
·LDO线性稳压器的电路仿真结果和版图设计 | 第74-75页 |
·前仿、后仿、测试结果比较 | 第75-77页 |
·本章小结 | 第77-78页 |
第6章 高精度均流控制器的研究与设计 | 第78-104页 |
·均流的原理 | 第78-80页 |
·并联电源系统中均流的方法 | 第80-90页 |
·斜率法(droop method,又叫外特性下垂法、输出阻抗法) | 第80-83页 |
·斜率均流法的原理 | 第80-83页 |
·斜率均流法的特点 | 第83页 |
·最大电流法均流(又叫民主均流法、自动均流法) | 第83-84页 |
·平均电流型自动负载均流法(自动均流) | 第84-86页 |
·主/从控制均流法(Master-Slaves) | 第86-87页 |
·强迫均流法 | 第87-88页 |
·外部电路控制均流法 | 第88-89页 |
·热应力自动均流(应力法) | 第89-90页 |
·高精度均流电源管理芯片设计 | 第90-102页 |
·功能描述和特性 | 第90-93页 |
·均流控制器的主要设计目标 | 第90-91页 |
·均流控制器的模块定义 | 第91-93页 |
·模块级电路设计 | 第93-96页 |
·电流检测放大器模块 | 第93页 |
·校准放大器模块 | 第93-94页 |
·启动和校准逻辑模块 | 第94-96页 |
·系统仿真 | 第96-102页 |
·转换器建模 | 第97-99页 |
·均流控制器设计和动态分析 | 第99-100页 |
·系统启动 | 第100-102页 |
·版图设计 | 第102页 |
·本章小结 | 第102-104页 |
第7章 版图设计对芯片性能的影响 | 第104-124页 |
·版图设计概述 | 第104-106页 |
·设计规则 | 第106-107页 |
·模拟电路的版图技术 | 第107-114页 |
·器件放置 | 第107-113页 |
·匹配管的放置 | 第107-111页 |
·热源(大功率管)的放置 | 第111页 |
·整体放置 | 第111-113页 |
·连线规则 | 第113页 |
·引线孔规则 | 第113-114页 |
·亚微米工艺下的数字版图设计 | 第114-122页 |
·90°有源区结构对 MOS管的影响 | 第116页 |
·金属对引线孔的包围对性能的影响 | 第116-118页 |
·平行MOS管结构版图对性能的影响 | 第118-119页 |
·金属线间距对电路性能的影响 | 第119-120页 |
·45°多晶硅结构对电路性能的影响 | 第120-121页 |
·版图中几何图形的多边行对电路性能的影响 | 第121-122页 |
·本章小结 | 第122-124页 |
第8章 论文总结和展望 | 第124-126页 |
·论文总结 | 第124-125页 |
·展望 | 第125-126页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第126-128页 |
附录 A | 第128-130页 |
附录 B.(LDO的前仿真结果) | 第130-131页 |
附录 C.(LDO的后仿真结果) | 第131-132页 |
参考文献 | 第132-138页 |
致谢 | 第138页 |