Ⅲ-V族材料外延生长的动力学模拟仿真及半导体晶片键合的实验
| 目录 | 第1-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题背景 | 第11-15页 |
| ·论文研究内容及其论文结构 | 第15-17页 |
| ·论文研究内容 | 第15-16页 |
| ·论文结构 | 第16-17页 |
| 第二章 MOCVD技术的理论与实验研究 | 第17-29页 |
| ·MOCVD技术的研究与发展现状 | 第17-18页 |
| ·晶片键合技术及其与MOCVD外延技术的关系 | 第18-19页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第19-21页 |
| ·MOCVD原理 | 第19-20页 |
| ·MOCVD外延生长方法的优缺点 | 第20-21页 |
| ·低压MOCVD | 第21页 |
| ·MOCVD生长设备简介 | 第21-24页 |
| ·MOCVD设备系统 | 第22页 |
| ·气体源供给系统 | 第22-23页 |
| ·反应室和加热系统 | 第23页 |
| ·尾气处理系统 | 第23页 |
| ·微机自控及系统安全保护报警系统 | 第23-24页 |
| ·测漏装置 | 第24页 |
| ·MOCVD外延的关键技术和难点 | 第24-25页 |
| ·外延材料参数的测试技术 | 第25-27页 |
| ·光荧光技术概念及其特点 | 第25-26页 |
| ·光荧光测试仪 | 第26页 |
| ·光荧光谱 | 第26-27页 |
| ·激光器材料MOCVD外延技术的发展方向 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 分子运动论与薄膜外延生长理论 | 第29-44页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·分子运动论简介 | 第29-33页 |
| ·分子运动论概念 | 第30页 |
| ·牛顿运动方程 | 第30页 |
| ·原子间势函数 | 第30-32页 |
| ·势参数的确定 | 第32页 |
| ·分子动力学模拟的初始条件 | 第32页 |
| ·周期性边界条件和长程力 | 第32-33页 |
| ·分子动力学进一步发展的方向 | 第33页 |
| ·关于薄膜外延生长技术 | 第33-36页 |
| ·蒙特卡罗简介 | 第36-38页 |
| ·蒙特卡罗概念 | 第36-37页 |
| ·随机数和随机变量的产生 | 第37-38页 |
| ·物理模型和模拟方法 | 第38-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 半导体晶片键合技术的实验研究 | 第44-53页 |
| ·晶片键合中夹具的设计 | 第44-47页 |
| ·晶片键合的实验研究 | 第47-52页 |
| ·晶片表面的清洁与处理 | 第47-48页 |
| ·晶片的键合与腐蚀 | 第48-49页 |
| ·键合质量测试 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录 | 第56-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
