0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管建模
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·射频MOS场效应管模型现状 | 第10-12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12页 |
| ·论文结构 | 第12-13页 |
| 第二章 MOS场效应管模型 | 第13-21页 |
| ·MOS场效应管模型历史 | 第13-15页 |
| ·MOS场效应管模型发展趋势 | 第15-17页 |
| ·MOS场效应管模型的要求 | 第17-18页 |
| ·MOS场效应管模型研究流程 | 第18-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 MOS器件 | 第21-33页 |
| ·MOS场效应管历史 | 第21页 |
| ·MOS场效应管结构 | 第21-22页 |
| ·数字MOS场效应管 | 第21-22页 |
| ·射频MOS场效应管 | 第22页 |
| ·MOS器件的按比例缩小 | 第22-27页 |
| ·恒定电场按比例缩小 | 第23-24页 |
| ·恒定电压按比例缩小 | 第24页 |
| ·无显著特征按比例缩小 | 第24-25页 |
| ·按比例缩小的趋势 | 第25-26页 |
| ·按比例缩小面临的挑战 | 第26-27页 |
| ·器件尺寸减小对器件高频性能的影响 | 第27-32页 |
| ·器件高频性能参数 | 第27-30页 |
| ·器件高频性能发展趋势 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第四章 射频MOS场效应管特性表征 | 第33-49页 |
| ·射频MOS场效应管版图设计 | 第33-35页 |
| ·0.13μm CMOS工艺介绍 | 第33页 |
| ·版图设计 | 第33-35页 |
| ·测试结构设计 | 第35-36页 |
| ·器件测试 | 第36-39页 |
| ·直流测试 | 第37-38页 |
| ·S参数测试 | 第38-39页 |
| ·剥离方法 | 第39-41页 |
| ·开路剥离方法 | 第39-40页 |
| ·开路短路剥离方法 | 第40-41页 |
| ·剥离方法比较和验证 | 第41-46页 |
| ·剥离方法比较 | 第41-44页 |
| ·剥离方法验证 | 第44-46页 |
| ·测试结果 | 第46-48页 |
| ·直流测试结果 | 第46-47页 |
| ·S参数测试结果 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 射频MOS场效应管小信号模型及参数提取 | 第49-69页 |
| ·影响MOS场效应管性能的一些因素 | 第49-57页 |
| ·非准静态效应 | 第49-51页 |
| ·栅极电阻 | 第51-52页 |
| ·源极和漏极串联电阻 | 第52-53页 |
| ·衬底电阻 | 第53-56页 |
| ·源极和漏极之间的耦合 | 第56页 |
| ·其他寄生元件 | 第56-57页 |
| ·小信号模型 | 第57-59页 |
| ·忽略衬底效应的小信号等效电路模型 | 第57-58页 |
| ·考虑衬底效应的小信号等效电路模型 | 第58页 |
| ·非准静态小信号等效电路模型 | 第58-59页 |
| ·小信号模型分析 | 第59-60页 |
| ·本征部分Y参数分析 | 第59-60页 |
| ·小信号模型Z参数分析 | 第60页 |
| ·小信号模型参数提取方法 | 第60-65页 |
| ·小信号模型本征部分参数提取 | 第60-62页 |
| ·小信号模型串联电阻参数提取 | 第62-65页 |
| ·参数提取结果 | 第65-67页 |
| ·参数可缩放性分析 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |
