| 前言 | 第1-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-30页 |
| ·纳米无机薄膜材料的发展概况 | 第9-13页 |
| ·纳米无机薄膜材料的分类 | 第9页 |
| ·纳米无机薄膜材料的性能 | 第9-11页 |
| ·纳米无机薄膜材料的常见制备技术 | 第11页 |
| ·纳米无机薄膜材料的新型低温溶液制备技术 | 第11-13页 |
| ·仿生合成与自组装单层膜概述 | 第13-21页 |
| ·仿生合成技术概述 | 第13-15页 |
| ·自组装单层膜及其发展概况 | 第15-21页 |
| ·自组装单层膜技术制备纳米无机薄膜材料 | 第21-28页 |
| ·SAMs合成无机纳米薄膜材料机理 | 第21-24页 |
| ·SAMs技术制备纳米无机薄膜的最新研究进展 | 第24-27页 |
| ·SAMs技术制备纳米无机薄膜的理论和现实意义 | 第27-28页 |
| ·二氧化锡薄膜应用及制备技术概述 | 第28-29页 |
| ·论文工作的提出 | 第29-30页 |
| 第二章 实验步骤及表征方法 | 第30-35页 |
| ·实验器材 | 第30-32页 |
| ·实验基片 | 第30页 |
| ·实验药品和试剂 | 第30-31页 |
| ·实验设备和表征设备 | 第31-32页 |
| ·实验流程 | 第32-33页 |
| ·基片的预处理 | 第32页 |
| ·MPS膜层的组装 | 第32-33页 |
| ·膜层端基功能团的原位氧化 | 第33页 |
| ·二氧化锡纳米薄膜的沉积 | 第33页 |
| ·样品的表征 | 第33-35页 |
| 第三章 硅烷在基底表面的自组装和功能化 | 第35-53页 |
| ·单晶硅基底表面的氧化和羟基化 | 第35-36页 |
| ·硅烷分子在基底表面自组装成膜 | 第36-49页 |
| ·自组装MPS膜层的形成及组成分析 | 第36-41页 |
| ·自组装MPS膜层的组装结构和形貌 | 第41-48页 |
| ·玻璃基底表面MPS膜层的组装 | 第48-49页 |
| ·自组装膜层的原位氧化 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 SnO2晶态薄膜在表面功能化基底上的液相沉积 | 第53-77页 |
| ·前驱体溶液的选择 | 第53-57页 |
| ·前驱体溶液水解情况的考察 | 第53-54页 |
| ·前驱体溶液析晶情况的考察 | 第54-57页 |
| ·SAMs表面沉积膜的化学组成、结构和生长特性 | 第57-64页 |
| ·SAMs表面沉积膜化学组成的XPS分析 | 第57-59页 |
| ·SAMs表面沉积膜的相结构分析 | 第59-61页 |
| ·SAMs表面沉积膜的表面附着力 | 第61页 |
| ·SAMs表面沉积膜的表面形貌 | 第61-63页 |
| ·SAMs表面沉积膜的生长 | 第63-64页 |
| ·功能化基底对薄膜沉积的作用 | 第64-67页 |
| ·表面组成及附着力的对照 | 第65-67页 |
| ·表面形貌及沉积速度的对照 | 第67页 |
| ·SnO2晶态薄膜在基底表面的结晶和生长的机理分析 | 第67-73页 |
| ·沉积SnO2晶态薄膜的电学和光学性能表征 | 第73-76页 |
| ·沉积SnO2晶态薄膜的电学特性 | 第73-74页 |
| ·沉积SnO2晶态薄膜的透光率和光吸收性能 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |