集成化可变光学衰减器的研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-11页 |
| §1．1 全光通讯的发展 | 第6-9页 |
| §1．2 光衰减器的发展概述 | 第9-11页 |
| 第二章 SOI光波导材料与脊形光波导特性 | 第11-18页 |
| §2．1 SOI光波导材料 | 第11-13页 |
| §2．2 SOI脊形光波导 | 第13-16页 |
| §2．3 脊形光波导的损耗特性 | 第16-18页 |
| 第三章 SOI光学衰减器模型 | 第18-31页 |
| §3．1 Y分支马赫——曾德光学衰减器模型 | 第18-20页 |
| §3．2 多模干涉耦合器型光学衰减器模型 | 第20-25页 |
| §3．3 SOI波导光学衰减器的折射率调制模型 | 第25-31页 |
| 第四章 SOI光学衰减器的制备及其工艺研究 | 第31-41页 |
| §4．1 SOI光学衰减器的结构 | 第31页 |
| §4．2 波导光学衰减器的制备工艺 | 第31-35页 |
| §4．3 硅的刻蚀工艺的研究 | 第35-41页 |
| 第五章 光学衰减器的测试 | 第41-49页 |
| §5．1 光衰减器的测试参数 | 第41-43页 |
| §5．2 光衰减器的测试系统及测试方案 | 第43-44页 |
| §5．3 测试参数的结果及其分析 | 第44-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
