摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第8-12页 |
·研究的背景及意义 | 第8页 |
·国内外研究现状及趋势 | 第8-10页 |
·基准电压源的概述 | 第10-12页 |
·本章小结 | 第12页 |
第二章 带隙基准电压源的基本原理 | 第12-30页 |
·基准电压源的主要性能指标 | 第12-13页 |
·带隙基准电压源的基本原理 | 第13-17页 |
·三种与电源电压无关的常用标准电压的温度特性 | 第14-17页 |
·晶体管基极—发射极电压V_(BE) | 第14-16页 |
·晶体管基极—发射极电压V_(BE)之差△V_(BE) | 第16页 |
·MOS管阈值电压Vth | 第16-17页 |
·带隙基准电压源的几种结构 | 第17-24页 |
·Widlar带隙基准电压源 | 第17-19页 |
·Brokaw带隙基准电压源 | 第19-21页 |
·传统典型的带隙基准电压源 | 第21-22页 |
·基于PTAT改进的带隙基准 | 第22-24页 |
·带隙基准电压源的曲率校正方法 | 第24-30页 |
·线形补偿 | 第25页 |
·高阶补偿 | 第25-30页 |
第三章 高性能带隙基准电压源的电路设计 | 第30-66页 |
·设计指标 | 第30-33页 |
·设计思路 | 第33-34页 |
·基准电压源整体框图 | 第34-35页 |
·子电路的设计 | 第35-66页 |
·基准核心产生电路 | 第35-36页 |
·曲率补偿电路 | 第36-38页 |
·运算放大器的设计 | 第38-54页 |
·运放的启动和偏置电路 | 第38-39页 |
·运放的基本参数计算 | 第39-41页 |
·运放失调电压分析 | 第41-43页 |
·运放的电源电压抑制比有限 | 第43页 |
·电流镜失配引进的误差 | 第43-44页 |
·PNP管的β和欧姆电阻的影响 | 第44-45页 |
·增大稳定性 | 第45-49页 |
·运放参数仿真 | 第49-54页 |
·输出缓冲及乘2电路 | 第54-55页 |
·输出控制电路 | 第55-59页 |
·译码器 | 第56页 |
·3-8线译码器 | 第56-59页 |
·启动电路 | 第59-62页 |
·过温保护电路 | 第62-66页 |
·设计过温保护电路的原因 | 第62-63页 |
·过温保护具体电路及工作原理 | 第63-65页 |
·温度保护模块仿真 | 第65-66页 |
第四章 版图设计 | 第66-78页 |
·匹配性设计 | 第66-68页 |
·其他考虑 | 第68-69页 |
·版图设计工具简介 | 第69-70页 |
·版图编辑工具Layout Editor | 第69页 |
·实时验证工具Dracula(Diva) | 第69-70页 |
·基准电压源的版图设计 | 第70-75页 |
·纵向PNP晶体管版图 | 第70-72页 |
·电阻电容的版图 | 第72-74页 |
·电阻电容参数表 | 第72-73页 |
·电阻电容的版图 | 第73-74页 |
·运放版图 | 第74-75页 |
·基准电路的总体版图 | 第75页 |
·基准电压源的版图验证 | 第75-78页 |
·DRC验证 | 第76页 |
·版图提取与LVS验证 | 第76-78页 |
第五章 仿真结果及分析 | 第78-95页 |
·仿真工具介绍 | 第78-95页 |
·电源抑制频率特性 | 第78-81页 |
·缓冲端的前仿后仿电源抑制比 | 第78-79页 |
·乘2端的前仿后仿电源抑制比 | 第79-80页 |
·可编程输出的前仿后仿电源抑制比 | 第80-81页 |
·温度特性 | 第81-87页 |
·缓冲端的温度特性 | 第81-82页 |
·乘2端的温度特性 | 第82-83页 |
·可编程部分的输出温度系数 | 第83-87页 |
·PTAT电流随温度变化的曲线 | 第87-88页 |
·补偿电流的前后仿曲线 | 第88-89页 |
·电源电压稳定性 | 第89-91页 |
·缓冲端的电源调整率 | 第89-90页 |
·乘2端的电源电压调整率 | 第90-91页 |
·负载电流稳定性 | 第91-94页 |
·缓冲端负载电流稳定性 | 第91-93页 |
·乘2端负载电流稳定性 | 第93-94页 |
·噪声特性 | 第94-95页 |
结论 | 第95-97页 |
·本文小结 | 第95页 |
·本文完成的工作 | 第95-96页 |
·进一步研究的内容 | 第96-97页 |
致谢 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-102页 |
附录 | 第102-103页 |