| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·前言 | 第9-12页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第12-18页 |
| ·直接法 | 第12-15页 |
| ·间接法 | 第15-18页 |
| ·准分子激光晶化技术 | 第18-24页 |
| ·人工可控晶粒超级横向生长 | 第24-28页 |
| ·本论文研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 准分子激光退火制备多晶硅薄膜 | 第29-37页 |
| ·样品处理 | 第29-31页 |
| ·准分子激光退火制备多晶硅薄膜的实验过程 | 第31-32页 |
| ·准分子激光退火制备多晶硅薄膜的结果及分析 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 准分子激光相位掩模板法制备多晶硅薄膜 | 第37-48页 |
| ·准分子激光相位掩模板法制备多晶硅薄膜的实验过程 | 第37-42页 |
| ·准分子激光相位掩模板法制备多晶硅薄膜的结果和分析 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |