| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.1.1 有机电子学概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 有机半导体存储器介绍 | 第10-12页 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器的基本介绍 | 第12-28页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器的结构和工作原理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管存储器的基本参数 | 第14-18页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管存储器的分类 | 第18-28页 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器的制备 | 第28-32页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管存储器的制备材料 | 第28-31页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管存储器的制备方法 | 第31-32页 |
| 1.4 有机场效应晶体管存储器的测试和表征 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文研究意义和主要工作 | 第33-35页 |
| 第二章 基于PVK纳米阵列器件与PVK薄膜器件的研究 | 第35-44页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 器件的制备与表征 | 第36-43页 |
| 2.2.1 PVK纳米阵列器件的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.2 器件的测试与表征 | 第37页 |
| 2.2.3 器件的性能研究 | 第37-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 基于PVK不同纳米阵列形貌对器件性能影响的研究 | 第44-51页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 器件的制备与表征 | 第44-50页 |
| 3.2.1 不同掺杂比例器件的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 不同掺杂比例下器件性能的表征 | 第45页 |
| 3.2.3 器件性能的研究 | 第45-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 基于PVK衍生物和TMP掺杂对器件性能影响的研究 | 第51-57页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 基于PVK衍生物和TMP的器件 | 第52-56页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第52-53页 |
| 4.2.2 器件的测试与表征 | 第53页 |
| 4.2.3 器件性能的研究 | 第53-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第64-65页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
