| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1.绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第12-13页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第12页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第12-13页 |
| 1.4 论文组织 | 第13-15页 |
| 2.压控振荡器设计理论基础 | 第15-35页 |
| 2.1 振荡器基本原理 | 第15-18页 |
| 2.1.1 双端口反馈模型 | 第15-16页 |
| 2.1.2 单端口能量补偿模型 | 第16-18页 |
| 2.2 振荡器的种类 | 第18-24页 |
| 2.2.1 环形振荡器 | 第18-19页 |
| 2.2.2 LC交叉耦合振荡器 | 第19-22页 |
| 2.2.3 三点式振荡器 | 第22-24页 |
| 2.3 压控振荡器的数学模型 | 第24-25页 |
| 2.4 相位噪声 | 第25-32页 |
| 2.4.1 压控振荡器中的噪声源 | 第25-26页 |
| 2.4.2 相位噪声的概念 | 第26-27页 |
| 2.4.3 压控振荡器相位噪声模型 | 第27-31页 |
| 2.4.4 相位噪声优化技术 | 第31-32页 |
| 2.5 毫米波压控振荡器的设计难点 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 3 2~36GHz压控振荡器设计 | 第35-57页 |
| 3.1 0.13 μmSiGeBiCMOS工艺简介 | 第35-36页 |
| 3.1.1 0.13 μmSiGeBiCMOS工艺特点 | 第35页 |
| 3.1.2 0.13 μmSiGeBiCMOS工艺器件简介 | 第35-36页 |
| 3.2 32~36GHz压控振荡器设计 | 第36-43页 |
| 3.2.1 电路结构设计 | 第36-38页 |
| 3.2.2 片上电感设计 | 第38-41页 |
| 3.2.3 可变电容设计 | 第41-42页 |
| 3.2.4 缓冲电路设计 | 第42-43页 |
| 3.3 32~36GHz压控振荡器前仿真 | 第43-55页 |
| 3.3.1 压控振荡器前仿真波形 | 第43-47页 |
| 3.3.2 压控振荡器调谐范围前仿真 | 第47-49页 |
| 3.3.3 压控振荡器相位噪声前仿真 | 第49-53页 |
| 3.3.4 压控振荡器工作电流前仿真 | 第53-55页 |
| 3.3.5 32~36GHz压控振荡器前仿真结果与设计指标对比 | 第55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 4 32~36GHz压控振荡器版图设计与路-场混合后仿真 | 第57-75页 |
| 4.1 版图设计考虑 | 第57-60页 |
| 4.1.1 天线效应 | 第57页 |
| 4.1.2 寄生效应 | 第57-58页 |
| 4.1.3 闩锁效应 | 第58-59页 |
| 4.1.4 电流密度 | 第59页 |
| 4.1.5 保护环 | 第59-60页 |
| 4.1.6 ESD保护 | 第60页 |
| 4.2 压控振荡器的版图设计 | 第60-62页 |
| 4.3 32~36GHz压控振荡器路-场混合后仿真 | 第62-74页 |
| 4.3.1 压控振荡器路-场混合后仿真波形 | 第62-66页 |
| 4.3.2 压控振荡器路-场混合后仿真调谐范围 | 第66-68页 |
| 4.3.3 压控振荡器路-场混合后仿真相位噪声 | 第68-72页 |
| 4.3.4 压控振荡器路-场混合后仿真工作电流 | 第72-74页 |
| 4.3.5 32~36GHz压控振荡器路-场混合后仿真结果与设计指标对比 | 第74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 5.压控振荡器芯片测试方案 | 第75-79页 |
| 5.1 测试仪器设备 | 第75页 |
| 5.2 测试方案 | 第75-78页 |
| 5.2.1 芯片焊盘定义与功能描述 | 第75-77页 |
| 5.2.2 线缆损耗测试 | 第77页 |
| 5.2.3 直流工作点测试 | 第77页 |
| 5.2.4 压控振荡器相位噪声测试 | 第77-78页 |
| 5.2.5 压控振荡器调谐范围测试 | 第78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 6.工作总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 工作总结 | 第79-80页 |
| 6.2 工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 附件：攻读硕士期间发表的论文 | 第87页 |
