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GaN HEMT高频特性的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-13页
    1.1 研究背景第9-10页
    1.2 发展及现状第10-11页
    1.3 本文工作第11-13页
第二章 GaN HEMT的工作原理第13-23页
    2.1 材料结构性能第13-15页
    2.2 场效应晶体管第15-16页
    2.3 HEMT器件基本结构第16页
    2.4 极化第16-19页
    2.5 异质结反型层第19-20页
    2.6 散射机制第20-22页
    2.7 本章小结第22-23页
第三章 AlGaN/GaN HEMT器件高频特性研究第23-37页
    3.1 器件模型第23-24页
    3.2 直流特性第24-25页
    3.3 导电沟道第25-28页
    3.4 交流特性第28-30页
    3.5 电子迁移率第30-33页
    3.6 高频特性第33-35页
    3.7 本章小结第35-37页
第四章 AlGaN/GaN HEMT器件背势垒仿真第37-45页
    4.1 AlGaN背势垒第37-39页
    4.2 In_xGa_(1-x)N的特性及发展第39页
    4.3 不同In组分的In_xGa_(1-x)N材料特性第39-41页
    4.4 In_xGa_(1-x)N背势垒第41-44页
    4.5 本章小结第44-45页
第五章 In_xAl_(1-x)N/GaN HEMT器件仿真第45-51页
    5.1 In_xAl_(1-x)N/GaN HEMT器件的特性及发展第45页
    5.2 不同In组分的In_xAl_(1-x)N材料特性第45-47页
    5.3 In_xAl_(1-x)N的In组分对沟道及电子迁移率的影响第47-48页
    5.4 不同In组分的In_xAl_(1-x)N/GaNHEMT直流特性分析第48-49页
    5.5 不同In组分的In_xAl_(1-x)N/GaNHEMT瞬态特性分析第49-50页
    5.6 本章小结第50-51页
第六章 总结第51-52页
参考文献第52-57页
攻读硕士期间所取得的科研成果第57-58页
致谢第58页

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