| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 发展及现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文工作 | 第11-13页 |
| 第二章 GaN HEMT的工作原理 | 第13-23页 |
| 2.1 材料结构性能 | 第13-15页 |
| 2.2 场效应晶体管 | 第15-16页 |
| 2.3 HEMT器件基本结构 | 第16页 |
| 2.4 极化 | 第16-19页 |
| 2.5 异质结反型层 | 第19-20页 |
| 2.6 散射机制 | 第20-22页 |
| 2.7 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件高频特性研究 | 第23-37页 |
| 3.1 器件模型 | 第23-24页 |
| 3.2 直流特性 | 第24-25页 |
| 3.3 导电沟道 | 第25-28页 |
| 3.4 交流特性 | 第28-30页 |
| 3.5 电子迁移率 | 第30-33页 |
| 3.6 高频特性 | 第33-35页 |
| 3.7 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件背势垒仿真 | 第37-45页 |
| 4.1 AlGaN背势垒 | 第37-39页 |
| 4.2 In_xGa_(1-x)N的特性及发展 | 第39页 |
| 4.3 不同In组分的In_xGa_(1-x)N材料特性 | 第39-41页 |
| 4.4 In_xGa_(1-x)N背势垒 | 第41-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 In_xAl_(1-x)N/GaN HEMT器件仿真 | 第45-51页 |
| 5.1 In_xAl_(1-x)N/GaN HEMT器件的特性及发展 | 第45页 |
| 5.2 不同In组分的In_xAl_(1-x)N材料特性 | 第45-47页 |
| 5.3 In_xAl_(1-x)N的In组分对沟道及电子迁移率的影响 | 第47-48页 |
| 5.4 不同In组分的In_xAl_(1-x)N/GaNHEMT直流特性分析 | 第48-49页 |
| 5.5 不同In组分的In_xAl_(1-x)N/GaNHEMT瞬态特性分析 | 第49-50页 |
| 5.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士期间所取得的科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
