| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 低维体系的电子性质 | 第14-26页 |
| 1.1.1 二维体系的电子特征 | 第15-19页 |
| 1.1.2 一维金属链体系内的电子特征 | 第19-22页 |
| 1.1.3 单个水分子体系内的电子特征 | 第22-26页 |
| 1.2 论文选题以及论文结构 | 第26-28页 |
| 第2章 实验技术与原理 | 第28-44页 |
| 2.1 拉曼光谱技术 | 第28-31页 |
| 2.1.1 拉曼光谱基本原理 | 第29-30页 |
| 2.1.2 拉曼选择定则 | 第30-31页 |
| 2.2 扫描隧道显微技术(STM) | 第31-44页 |
| 2.2.1 STM的基本原理 | 第33-35页 |
| 2.2.2 扫描隧道谱(STS) | 第35-36页 |
| 2.2.3 超高真空低温系统的获得与维持 | 第36-38页 |
| 2.2.4 针尖的制备和处理 | 第38-44页 |
| 第3章 二维材料MoSe_2的光谱特性表征与压力调控 | 第44-56页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 二维材料MoSe_2的拉曼和荧光光谱特征 | 第45-54页 |
| 3.2.1 MoSe_2薄膜的拉曼和荧光光谱特征研究 | 第45-48页 |
| 3.2.2 高压下单层MoSe_2的光谱特性研究 | 第48-54页 |
| 3.3 本章总结 | 第54-56页 |
| 第4章 Ag (111)样品电致荧光特性研究 | 第56-68页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 实验体系的准备 | 第57-59页 |
| 4.3 Ag(111)样品电致荧光特性研究 | 第59-66页 |
| 4.3.1 荧光光谱与激励偏压的关系 | 第60-61页 |
| 4.3.2 荧光光谱与隧道电流的关系 | 第61-62页 |
| 4.3.3 场发射区域荧光光谱与偏压的关系 | 第62-66页 |
| 4.4 本章总结 | 第66-68页 |
| 第5章 TiO_2 (110)表面Ti_2O_3重构的电子态研究 | 第68-76页 |
| 5.1 引言 | 第68-74页 |
| 5.1.1 Ti_2O_3局域电子态特点 | 第68-73页 |
| 5.1.2 不同长度Ti_2O_3重构电子态的特点 | 第73-74页 |
| 5.2 本章总结 | 第74-76页 |
| 第6章 超薄绝缘层表面水分子振动谱特性研究 | 第76-88页 |
| 6.1 引言 | 第76-77页 |
| 6.2 水分子振动谱的特点 | 第77-87页 |
| 6.2.1 超薄Cu_2N绝缘层的形貌和电子态特征 | 第79-80页 |
| 6.2.2 单个水分子振动谱的特点 | 第80-87页 |
| 6.3 本章总结 | 第87-88页 |
| 第7章 论文总结与展望 | 第88-90页 |
| 附录A 石墨烯/六方氮化硼异质结的光学性质表征 | 第90-98页 |
| A.1 引言 | 第90页 |
| A.2 石墨烯/六方氮化硼异质结拉曼光谱表征 | 第90-96页 |
| A.3 本章小结 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-114页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
