| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 磁电子学介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 磁电阻效应综述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 磁电阻效应历史 | 第11-12页 |
| 1.2.2 巨磁阻效应的理论解释 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 2 巨磁阻材料原理及应用 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 巨磁阻材料的种类 | 第17-20页 |
| 2.2.1 多层膜结构巨磁阻薄膜 | 第17页 |
| 2.2.2 自旋阀结构巨磁阻薄膜 | 第17-19页 |
| 2.2.3 颗粒状结构薄膜 | 第19-20页 |
| 2.2.4 磁隧道结 | 第20页 |
| 2.3 巨磁阻材料的应用 | 第20-22页 |
| 2.3.1 巨磁阻磁头 | 第20-21页 |
| 2.3.2 巨磁阻传感器 | 第21页 |
| 2.3.3 磁随机存储器(MRAM) | 第21-22页 |
| 2.4 GMR传感器的研究进展与应用前景 | 第22-26页 |
| 2.4.1 GMR传感器与传统磁传感器的对比 | 第22-23页 |
| 2.4.2 GMR传感器的研究进展 | 第23-24页 |
| 2.4.3 GMR传感器的应用前景 | 第24-26页 |
| 3 自旋阀薄膜材料的制备和测量 | 第26-36页 |
| 3.1 自旋阀材料制备方法 | 第26-29页 |
| 3.2 自旋阀薄膜生长速率标定 | 第29-31页 |
| 3.3 工艺参数设置 | 第31-33页 |
| 3.4 自旋阀结构参数设置 | 第33页 |
| 3.5 材料性能测试 | 第33-36页 |
| 3.5.1 磁电阻曲线测试 | 第33-34页 |
| 3.5.2 生长速率标定样品厚度测定 | 第34-35页 |
| 3.5.3 改变外加磁场方向测试 | 第35-36页 |
| 4 自旋阀结构与性能的关系 | 第36-49页 |
| 4.1 自旋阀各性能参数介绍 | 第36-39页 |
| 4.2 Cu层厚度对自旋阀性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 铁磁层材料对自旋阀性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.4 缓冲层种类和厚度对自旋阀性能的影响 | 第43-47页 |
| 4.5 反铁磁钉扎层厚度对自旋阀性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 测量时角度对自旋阀性能的影响 | 第49-55页 |
| 5.1 面内磁场与自旋阀易磁化轴的夹角对磁电阻曲线的影响 | 第49-51页 |
| 5.2 面外磁场与自旋阀易磁化轴的夹角对磁电阻曲线的影响 | 第51-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 6 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62页 |