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0.18μm D触发器加固设计与建库

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第1章 绪论第8-17页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第8-9页
    1.2 辐射效应第9-11页
    1.3 国内外研究现状及分析第11-15页
        1.3.1 抗辐射加固研究现状第11-14页
        1.3.2 标准单元库研究现状第14-15页
    1.4 主要研究内容第15-17页
第2章 D触发器加固设计第17-31页
    2.1 D触发器电路加固设计第17-23页
        2.1.1 DICE结构分析第17-19页
        2.1.2 D触发器设计第19-22页
        2.1.3 功能仿真验证第22-23页
    2.2 D触发器版图加固设计第23-27页
        2.2.1 抗TID版图加固第24-25页
        2.2.2 抗SEL版图加固第25页
        2.2.3 抗SEU版图加固第25页
        2.2.4 标准单元版图设计第25-27页
    2.3 抗单粒子翻转性能分析第27-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第3章 标准单元库的建立第31-42页
    3.1 标准单元库基本组成和建库流程第31-32页
        3.1.1 标准单元库基本组成第31页
        3.1.2 标准单元库建库流程第31-32页
    3.2 版图物理信息提取第32-34页
    3.3 逻辑信息提取第34-41页
        3.3.1 时序信息提取第35-38页
        3.3.2 功耗信息提取第38-40页
        3.3.3 电容的提取第40-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第4章 标准单元库验证第42-48页
    4.1 逻辑综合验证第42-44页
    4.2 自动布局布线验证第44-46页
    4.3 本章小结第46-48页
结论第48-49页
附录 OCEAN脚本第49-54页
参考文献第54-58页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第58-60页
致谢第60页

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