| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 红外硅基薄膜概述 | 第10-19页 |
| 1.1.1 硅基红外器件的发展 | 第10-14页 |
| 1.1.2 硅基红外探测器 | 第14-19页 |
| 1.2 硅锡薄膜的制备 | 第19-23页 |
| 1.2.1 固相外延生长 | 第20页 |
| 1.2.2 等离子体增强化学气相沉积法 | 第20页 |
| 1.2.3 循环伏安法 | 第20-21页 |
| 1.2.4 分子束外延法 | 第21-22页 |
| 1.2.5 热蒸发法 | 第22-23页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第23-25页 |
| 1.3.1 选题目的 | 第23-24页 |
| 1.3.2 内容安排 | 第24-25页 |
| 第二章 Si_(1-x)Sn_x薄膜的制备与表征技术 | 第25-31页 |
| 2.1 磁控溅射工作原理 | 第25页 |
| 2.2 磁控溅射装置 | 第25-28页 |
| 2.3 硅锡薄膜的性能表征 | 第28-30页 |
| 2.3.1 拉曼散射谱 | 第28页 |
| 2.3.2 X射线衍射谱 | 第28-29页 |
| 2.3.3 透射光谱 | 第29页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
| 2.3.6 电阻率测试 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 射频磁控溅射法制备Si_(1-x)Sn_x薄膜的研究 | 第31-49页 |
| 3.1 实验方法 | 第31-32页 |
| 3.2 硅锡薄膜的微观表征 | 第32-44页 |
| 3.2.1 制备Si_(1-x)Sn_x薄膜的时间对其表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 Si_(1-x)Sn_x薄膜的生长温度对其表面形貌的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 Si_(1-x)Sn_x薄膜的拉曼光谱图 | 第35-41页 |
| 3.2.4 硅锡薄膜的X射线衍射图分析 | 第41-42页 |
| 3.2.5 硅锡薄膜透射电子显微镜图分析 | 第42-44页 |
| 3.3 硅锡薄膜的宏观测试 | 第44-47页 |
| 3.3.1 硅锡薄膜的电学特性 | 第44-46页 |
| 3.3.2 硅锡薄膜的光学特性 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小节 | 第47-49页 |
| 第四章 Te/Si_(1-x)Sn_x结构的性能研究 | 第49-64页 |
| 4.1 Te薄膜性能的表征 | 第49-55页 |
| 4.1.1 Te薄膜的SEM图像分析 | 第50-51页 |
| 4.1.2 Te薄膜的光学特性 | 第51-55页 |
| 4.2 Te/Si_(1-x)Sn_x结构的特性研究 | 第55-62页 |
| 4.2.1 Te/Si_(1-x)Sn_x结构的SEM图 | 第55-57页 |
| 4.2.2 Te/Si_(1-x)Sn_x结构的光学特性 | 第57-60页 |
| 4.2.3 Te/Si_(1-x)Sn_x结构的电学特性 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小节 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第72页 |
