| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 超导材料简介 | 第11-12页 |
| 1.1.1 超导发展历史 | 第11-12页 |
| 1.1.2 超导发展历史 | 第12页 |
| 1.2 铌基超导材料简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 铌基超导薄膜特性 | 第13-14页 |
| 1.2.2 铌基超导薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 多孔氧化铝模板AAO的简介 | 第15-16页 |
| 1.3.1 AAO模板的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 AAO模板的制备方法 | 第16页 |
| 1.4 纳米多孔结构超导薄膜的探究 | 第16-18页 |
| 1.4.1 超导绝缘相变机理概述 | 第16-17页 |
| 1.4.2 纳米多孔结构铌基超导薄膜的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 论文选题依据与研究方案 | 第18-20页 |
| 第二章 实验方法和表征手段 | 第20-30页 |
| 2.1 实验方法 | 第20-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第20-22页 |
| 2.1.1.1 磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| 2.1.1.2 磁控溅射制备薄膜的影响因素 | 第21-22页 |
| 2.1.1.3 磁控溅射设备介绍 | 第22页 |
| 2.1.2 反应离子刻蚀 | 第22-24页 |
| 2.1.2.1 反应离子刻蚀原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2.2 反应离子刻蚀影响因素 | 第23页 |
| 2.1.2.3 反应离子刻蚀设备介绍 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第24-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD，X-ray diffraction） | 第24-26页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM,Transmission Electron Microscope） | 第26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM,Atomic Force Microscope） | 第26-27页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜（SEM，Scanning Electron Microscope） | 第27-28页 |
| 2.2.5 低温探针台 | 第28-29页 |
| 2.2.6 综合物性测量系统（PPMS，Physical Property Measurement System） | 第29-30页 |
| 第三章 纳米多孔结构铌超导薄膜 | 第30-45页 |
| 3.1 磁控溅射制备铌超导薄膜 | 第30-39页 |
| 3.1.1 基本实验参数和实验步骤 | 第30-31页 |
| 3.1.1.1 衬底材料的选择 | 第30页 |
| 3.1.1.2 靶材和工作气体的选择 | 第30页 |
| 3.1.1.3 实验步骤 | 第30-31页 |
| 3.1.2 背底真空度对薄膜性能的影响 | 第31页 |
| 3.1.3 工作气压对薄膜性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.1.3.1 工作总压对铌膜晶体结构的影响 | 第32页 |
| 3.1.3.2 工作总压对铌膜表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.3.3 工作总压对铌膜超导转变温度的影响 | 第34页 |
| 3.1.4 衬底温度对薄膜性能的影响 | 第34-37页 |
| 3.1.4.1 衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.4.2 衬底温度对薄膜超导转变温度的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.5 溅射功率对铌薄膜性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.1.5.1 溅射功率对铌膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.5.2 溅射功率对铌膜超导转变温度的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 反应离子束刻蚀制备纳米多孔铌超导薄膜 | 第39-41页 |
| 3.3 薄膜厚度对超导绝缘相变的调控研究 | 第41-43页 |
| 3.3.1 膜厚对多孔铌膜电输运的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 膜厚对多孔铌膜磁输运的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 纳米多孔结构氮化铌超导薄膜 | 第45-56页 |
| 4.1 氮化铌超导薄膜的制备 | 第45-50页 |
| 4.1.1 衬底材料的选择 | 第45页 |
| 4.1.2 氮氩比对氮化铌薄膜性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.2.1 氮氩比对氮化铌薄膜晶体结构的影响 | 第46页 |
| 4.1.2.2 氮氩比对氮化铌薄膜超导转变温度的影响 | 第46-47页 |
| 4.1.3 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.1.3.1 溅射功率对氮化铌薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.3.2 溅射功率对氮化铌薄膜超导转变温度的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.4 工作总压对薄膜超岛性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.2 纳米多孔阵列结构氮化铌超导薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.3 孔壁厚对超导绝缘相变的调控研究 | 第51-54页 |
| 4.3.1 孔壁厚对电输运的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.2 孔壁厚对磁输运的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 5.1 结论 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第62页 |
