| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 缩略词目录 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第15-19页 |
| 1.2 深亚微米体硅工艺下软错误研究现状和预测新挑战 | 第19-26页 |
| 1.2.1 深亚微米工艺下单粒子翻转截面研究现状和预测新挑战 | 第19-24页 |
| 1.2.2 深亚微米工艺下单粒子瞬态效应研究现状和预测新挑战 | 第24-26页 |
| 1.3 本文的课题来源和本文的研究目的 | 第26页 |
| 1.4 本文的主要贡献与创新 | 第26-28页 |
| 1.5 论文的结构安排 | 第28-31页 |
| 第二章 单粒子效应理论基础 | 第31-40页 |
| 2.1 单粒子效应机理 | 第31-34页 |
| 2.1.1 电荷沉积 | 第31-32页 |
| 2.1.2 电荷收集 | 第32-34页 |
| 2.2 单粒子效应引入的软错误 | 第34-39页 |
| 2.2.1 单粒子翻转 | 第34-36页 |
| 2.2.2 单粒子多比特翻转 | 第36-37页 |
| 2.2.3 单粒子瞬态效应 | 第37-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于电路级单粒子效应模拟的翻转截面预测方法研究 | 第40-64页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 基于距离的单粒子效应瞬态电流源注入模型 | 第41-52页 |
| 3.2.1 基于器件物理的电流模型推导 | 第41-47页 |
| 3.2.2 针对深亚微米工艺的电荷有效收集深度计算 | 第47-48页 |
| 3.2.3 电路级SPICE仿真模型 | 第48-49页 |
| 3.2.4 瞬态电流源模型验证 | 第49-52页 |
| 3.3 时序电路翻转截面预测模型 | 第52-58页 |
| 3.3.1 SRAM翻转截面预测模型 | 第52-56页 |
| 3.3.2 触发器翻转截面预测模型 | 第56-58页 |
| 3.4 分析实例 | 第58-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 质子引入的单粒子翻转截面预测方法研究 | 第64-82页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 低LET域翻转截面预测 | 第65-72页 |
| 4.2.1 精细翻转截面模型推导 | 第65-69页 |
| 4.2.2 模型验证 | 第69-71页 |
| 4.2.3 低能量质子翻转截面 | 第71-72页 |
| 4.3 质子二次翻转预测模型 | 第72-81页 |
| 4.3.1 弹性碰撞预测模型 | 第72-73页 |
| 4.3.2 非弹性碰撞预测模型 | 第73-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 基于硬件故障注入的组合逻辑软错误评估方法研究 | 第82-98页 |
| 5.1 引言 | 第82-83页 |
| 5.2 基于故障注入的可靠性分析系统 | 第83-85页 |
| 5.3 基于脉冲传输特性的SET注入模型 | 第85-91页 |
| 5.3.1 脉冲传输特性及其数学模型 | 第85-89页 |
| 5.3.2 SET注入模型 | 第89-91页 |
| 5.4 分析实例 | 第91-97页 |
| 5.4.1 实验配置 | 第92-93页 |
| 5.4.2 实验分析 | 第93-97页 |
| 5.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 结论与展望 | 第98-100页 |
| 6.1 全文内容总结 | 第98-99页 |
| 6.2 下一步工作建议及其研究方向 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-110页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第110-111页 |
