| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 薄膜的形成过程与结构 | 第9-12页 |
| 1.2.1 薄膜的形成过程 | 第9-10页 |
| 1.2.2 薄膜的结构 | 第10-12页 |
| 1.3 磁控溅射技术的发展 | 第12-14页 |
| 1.3.1 磁控溅射的工作原理 | 第12页 |
| 1.3.2 磁控溅射的优缺点分析 | 第12-13页 |
| 1.3.3 磁控溅射的发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.4 微弧区沉积粒子的脱靶方式转变及电场环境的选择 | 第14-17页 |
| 1.4.1 微弧区沉积粒子脱靶方式的转变 | 第14-15页 |
| 1.4.2 电场环境的选择 | 第15-17页 |
| 1.5 研究目的及意义 | 第17-18页 |
| 1.6 研究内容 | 第18页 |
| 1.7 技术路线图 | 第18-19页 |
| 2 实验原理与方法 | 第19-27页 |
| 2.1 试样基材及预处理 | 第19页 |
| 2.2 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.3 薄膜制备过程及工艺参数 | 第20-21页 |
| 2.3.1 薄膜制备过程 | 第20-21页 |
| 2.3.2 工艺参数的设定 | 第21页 |
| 2.4 薄膜结构与性能测试 | 第21-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第21-22页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM)形貌分析 | 第22页 |
| 2.4.3 原子力显微镜(AFM)形貌分析 | 第22页 |
| 2.4.4 薄膜的厚度及沉积速率分析 | 第22-23页 |
| 2.4.5 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第23页 |
| 2.4.6 薄膜的显微硬度分析 | 第23-24页 |
| 2.4.7 薄膜的膜基结合强度分析 | 第24页 |
| 2.4.8 薄膜的耐蚀性分析 | 第24-27页 |
| 3 不同放电区间平均靶电流对TiN薄膜结构与性能的影响 | 第27-43页 |
| 3.1 不同平均靶电流对脱靶机制及离化率的影响 | 第27-30页 |
| 3.2 不同平均靶电流下TiN薄膜的物相分析 | 第30-32页 |
| 3.3 不同平均靶电流下TiN薄膜的组织形貌分析 | 第32-34页 |
| 3.4 不同平均靶电流下TiN薄膜的表面粗糙度分析 | 第34-36页 |
| 3.5 不同平均靶电流下TiN薄膜的微观形貌分析 | 第36-37页 |
| 3.6 不同平均靶电流下TiN薄膜的力学性能分析 | 第37-41页 |
| 3.6.1 显微硬度分析 | 第37-39页 |
| 3.6.2 膜基结合强度分析 | 第39-41页 |
| 3.7 不同平均靶电流对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第41-42页 |
| 3.8 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 微弧放电区间氮气流量对TiN薄膜结构与性能的影响 | 第43-57页 |
| 4.1 不同氮气流量下TiN薄膜的物相分析 | 第43-45页 |
| 4.2 不同氮气流量下TiN薄膜的组织形貌分析 | 第45-47页 |
| 4.3 不同氮气流量对TiN薄膜沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 不同氮气流量下TiN薄膜的表面粗糙度分析 | 第48-49页 |
| 4.5 不同氮气流量下TiN薄膜的微观形貌分析 | 第49-51页 |
| 4.6 不同氮气流量对TiN薄膜力学性能的影响 | 第51-54页 |
| 4.6.1 显微硬度分析 | 第51-53页 |
| 4.6.2 膜基结合强度分析 | 第53-54页 |
| 4.7 不同氮气流量对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第54-55页 |
| 4.8 本章小结 | 第55-57页 |
| 5.结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
