摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-20页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 薄膜技术的发展 | 第8-10页 |
1.2.1 薄膜技术的发展历程 | 第8页 |
1.2.2 薄膜的生长过程 | 第8-10页 |
1.3 TiN薄膜 | 第10-11页 |
1.4 薄膜的制备方法 | 第11-13页 |
1.4.1 磁控溅射的基本原理 | 第12页 |
1.4.2 磁控溅射的技术特点 | 第12-13页 |
1.4.3 磁控溅射的研究现状 | 第13页 |
1.5 气体放电伏安特性曲线 | 第13-15页 |
1.6 强辉弱弧放电区镀料粒子的脱靶方式及其双脉冲电场构建 | 第15-17页 |
1.6.1 强辉弱弧放电区镀料粒子的脱靶方式 | 第15-16页 |
1.6.2 双脉冲电场构建 | 第16-17页 |
1.7 研究意义与研究内容 | 第17-18页 |
1.7.1 研究意义 | 第17页 |
1.7.2 研究内容 | 第17-18页 |
1.8 技术路线图 | 第18-20页 |
2 实验设备与方法 | 第20-28页 |
2.1 实验设备 | 第20页 |
2.2 试样材料及预处理 | 第20-21页 |
2.3 薄膜制备过程及工艺参数 | 第21-23页 |
2.3.1 薄膜的制备 | 第21-22页 |
2.3.2 工艺参数的设定 | 第22-23页 |
2.4 薄膜微观结构及性能检测方法 | 第23-28页 |
2.4.1 薄膜晶体结构的测定 | 第23页 |
2.4.2 薄膜表面形貌的观察 | 第23-24页 |
2.4.3 薄膜表面粗糙度的测定 | 第24页 |
2.4.4 薄膜微观结构的观察 | 第24页 |
2.4.5 薄膜的显微硬度及弹性模量分析 | 第24-25页 |
2.4.6 薄膜膜基结合强度分析 | 第25-26页 |
2.4.7 薄膜的厚度和沉积速率分析 | 第26页 |
2.4.8 薄膜的耐蚀性分析 | 第26-28页 |
3 双脉冲电场峰值电流对TiN薄膜结构及性能的影响 | 第28-42页 |
3.1 TiN薄膜的物相分析 | 第28-30页 |
3.2 TiN薄膜的微观结构分析 | 第30-31页 |
3.3 TiN薄膜组织形貌的分析 | 第31-35页 |
3.4 TiN薄膜表面粗糙度的分析 | 第35-36页 |
3.5 峰值电流对TiN薄膜力学性能的影响 | 第36-40页 |
3.5.1 峰值电流对TiN薄膜显微硬度的影响 | 第36-39页 |
3.5.2 峰值电流对TiN薄膜结合强度的影响 | 第39-40页 |
3.6 峰值电流对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第40-41页 |
3.7 本章小结 | 第41-42页 |
4 双脉冲电场沉积时间对TiN薄膜结构及性能的影响 | 第42-56页 |
4.1 TiN薄膜晶体结构的分析 | 第42-43页 |
4.2 TiN薄膜的择优取向分析 | 第43-44页 |
4.3 TiN薄膜的微观结构分析 | 第44-46页 |
4.4 沉积时间对TiN薄膜组织形貌的影响 | 第46-48页 |
4.5 沉积时间对TiN薄膜表面粗糙度的影响 | 第48-49页 |
4.6 沉积时间对TiN薄膜内应力的影响 | 第49-50页 |
4.7 沉积时间对TiN薄膜力学性能的影响 | 第50-53页 |
4.7.1 沉积时间对TiN薄膜显微硬度的影响 | 第50-52页 |
4.7.2 沉积时间对TiN薄膜结合强度的影响 | 第52-53页 |
4.8 沉积时间对TiN薄膜耐蚀性的影响 | 第53-54页 |
4.9 本章小结 | 第54-56页 |
5 结论 | 第56-58页 |
致谢 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
在校学习期间所发表的论文及成果 | 第66页 |