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双脉冲电场峰值电流及沉积时间对TiN薄膜结构与性能的影响

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-20页
    1.1 引言第8页
    1.2 薄膜技术的发展第8-10页
        1.2.1 薄膜技术的发展历程第8页
        1.2.2 薄膜的生长过程第8-10页
    1.3 TiN薄膜第10-11页
    1.4 薄膜的制备方法第11-13页
        1.4.1 磁控溅射的基本原理第12页
        1.4.2 磁控溅射的技术特点第12-13页
        1.4.3 磁控溅射的研究现状第13页
    1.5 气体放电伏安特性曲线第13-15页
    1.6 强辉弱弧放电区镀料粒子的脱靶方式及其双脉冲电场构建第15-17页
        1.6.1 强辉弱弧放电区镀料粒子的脱靶方式第15-16页
        1.6.2 双脉冲电场构建第16-17页
    1.7 研究意义与研究内容第17-18页
        1.7.1 研究意义第17页
        1.7.2 研究内容第17-18页
    1.8 技术路线图第18-20页
2 实验设备与方法第20-28页
    2.1 实验设备第20页
    2.2 试样材料及预处理第20-21页
    2.3 薄膜制备过程及工艺参数第21-23页
        2.3.1 薄膜的制备第21-22页
        2.3.2 工艺参数的设定第22-23页
    2.4 薄膜微观结构及性能检测方法第23-28页
        2.4.1 薄膜晶体结构的测定第23页
        2.4.2 薄膜表面形貌的观察第23-24页
        2.4.3 薄膜表面粗糙度的测定第24页
        2.4.4 薄膜微观结构的观察第24页
        2.4.5 薄膜的显微硬度及弹性模量分析第24-25页
        2.4.6 薄膜膜基结合强度分析第25-26页
        2.4.7 薄膜的厚度和沉积速率分析第26页
        2.4.8 薄膜的耐蚀性分析第26-28页
3 双脉冲电场峰值电流对TiN薄膜结构及性能的影响第28-42页
    3.1 TiN薄膜的物相分析第28-30页
    3.2 TiN薄膜的微观结构分析第30-31页
    3.3 TiN薄膜组织形貌的分析第31-35页
    3.4 TiN薄膜表面粗糙度的分析第35-36页
    3.5 峰值电流对TiN薄膜力学性能的影响第36-40页
        3.5.1 峰值电流对TiN薄膜显微硬度的影响第36-39页
        3.5.2 峰值电流对TiN薄膜结合强度的影响第39-40页
    3.6 峰值电流对TiN薄膜耐蚀性的影响第40-41页
    3.7 本章小结第41-42页
4 双脉冲电场沉积时间对TiN薄膜结构及性能的影响第42-56页
    4.1 TiN薄膜晶体结构的分析第42-43页
    4.2 TiN薄膜的择优取向分析第43-44页
    4.3 TiN薄膜的微观结构分析第44-46页
    4.4 沉积时间对TiN薄膜组织形貌的影响第46-48页
    4.5 沉积时间对TiN薄膜表面粗糙度的影响第48-49页
    4.6 沉积时间对TiN薄膜内应力的影响第49-50页
    4.7 沉积时间对TiN薄膜力学性能的影响第50-53页
        4.7.1 沉积时间对TiN薄膜显微硬度的影响第50-52页
        4.7.2 沉积时间对TiN薄膜结合强度的影响第52-53页
    4.8 沉积时间对TiN薄膜耐蚀性的影响第53-54页
    4.9 本章小结第54-56页
5 结论第56-58页
致谢第58-60页
参考文献第60-66页
在校学习期间所发表的论文及成果第66页

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