| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物的结构 | 第11-12页 |
| 1.3 过渡金属硫族化合物的性质 | 第12-13页 |
| 1.4 过渡金属硫族化合物的应用 | 第13-14页 |
| 1.4.1 场效应晶体 | 第13-14页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第14页 |
| 1.5 本文主要研究内容及意义 | 第14-16页 |
| 2 过渡金属硫化物的制备、表征 | 第16-26页 |
| 2.2 实验制备方法 | 第16-22页 |
| 2.2.1 机械剥离法 | 第16-17页 |
| 2.2.2 液相超声剥离法 | 第17页 |
| 2.2.3 锂离子插层法 | 第17-18页 |
| 2.2.4 化学气相沉积 | 第18-22页 |
| 2.3 表征方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.3.3 激光共焦拉曼光谱仪 | 第23-24页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.5 原子力显微镜 | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 石墨烯量子点用于CVD方法生长大面积MOS_2薄膜 | 第26-36页 |
| 3.1 实验前准备 | 第26-30页 |
| 3.1.1 实验所用药品和仪器 | 第26-27页 |
| 3.1.2 石墨烯量子点的制备和表征 | 第27-30页 |
| 3.1.3 蓝宝石衬底的处理 | 第30页 |
| 3.2 MoS_2薄膜的制备过程 | 第30-31页 |
| 3.3 MoS_2成膜质量的表征和结果分析 | 第31-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 CVD法制备硫化钼钨合金 | 第36-47页 |
| 4.1 常压下生长少层Mo_xW_(1-x)S_2合金 | 第36-43页 |
| 4.1.1 实验原料、生长设备和表征仪器 | 第36-37页 |
| 4.1.2 APCVD法制备合金过程 | 第37-38页 |
| 4.1.3 合金样品表征 | 第38-43页 |
| 4.2 低压下生长少层Mo_xW_(1-x)S_2合金 | 第43-45页 |
| 4.2.1 LPCVD法制备合金过程 | 第43页 |
| 4.2.2 低压生长Mo_xW_(1-x)S_2样品的表征 | 第43-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 5 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第51-53页 |
| 学位论文数据集 | 第53页 |
