| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 辐照及少子寿命控制技术 | 第15-21页 |
| 2.1 辐照效应及辐照损伤 | 第15-16页 |
| 2.2 辐照射线及辐照源 | 第16-18页 |
| 2.3 辐照中的物理量及其计算方式 | 第18-19页 |
| 2.4 寿命控制技术对比 | 第19-20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 电子辐照条件对缺陷能级的影响 | 第21-35页 |
| 3.1 电子辐照实验 | 第21-23页 |
| 3.2 深能级瞬态谱基本测试原理 | 第23-26页 |
| 3.2.1 深能级及其发射和俘获作用 | 第23-25页 |
| 3.2.2 深能级瞬态电容 | 第25页 |
| 3.2.3 率窗法测深能级瞬态谱 | 第25-26页 |
| 3.3 电子辐照对缺陷能级的影响及分析 | 第26-32页 |
| 3.3.1 电子辐照条件与少子寿命的关系 | 第26-27页 |
| 3.3.2 电子辐照条件与缺陷能级的关系 | 第27-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-35页 |
| 第4章 电子辐照条件对电学性能的影响 | 第35-53页 |
| 4.1 电学特性实验 | 第35-37页 |
| 4.2 电子辐照条件对电学特性的影响及分析 | 第37-50页 |
| 4.2.1 正向特性 | 第37-41页 |
| 4.2.2 反向特性 | 第41-46页 |
| 4.2.3 开关特性 | 第46-47页 |
| 4.2.4 退火实验 | 第47-50页 |
| 4.3 通过电子辐照条件控制器件缺陷能级及电学特性 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |