摘要 | 第11-13页 |
Abstract | 第13-14页 |
第1章 绪论 | 第15-24页 |
1.1 半导体光催化制氢概述 | 第15-18页 |
1.1.1 半导体光催化制氢的研究背景 | 第15页 |
1.1.2 半导体光催化制氢的体系 | 第15-16页 |
1.1.3 半导体光催化制氢的基本原理 | 第16-18页 |
1.2 提高半导体光催化制氢的改性方式 | 第18-21页 |
1.2.1 阴离子掺杂 | 第18页 |
1.2.2 贵金属沉积 | 第18-19页 |
1.2.3 改变晶体属性 | 第19-20页 |
1.2.4 构建异质结、异相结 | 第20-21页 |
1.3 钽基纳米材料的研究现状 | 第21-23页 |
1.3.1 氧化钽 | 第21-22页 |
1.3.2 钽酸盐 | 第22页 |
1.3.3 钽基氮氧化物 | 第22-23页 |
1.4 选题依据及研究内容 | 第23-24页 |
第2章 实验材料和研究方法 | 第24-29页 |
2.1 实验试剂及实验仪器 | 第24-25页 |
2.1.1 主要试剂 | 第24页 |
2.1.2 实验仪器 | 第24-25页 |
2.2 催化剂的制备 | 第25-27页 |
2.2.1 (NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管的制备 | 第25-26页 |
2.2.2 Pt/(NH_4)_2Ta_2O_3F_6的制备 | 第26页 |
2.2.3 Ta_2O_5纳米片的制备 | 第26页 |
2.2.4 Na_2Ta_2O_6和NaTaO_3纳米粒子的制备 | 第26-27页 |
2.3 催化剂的表征 | 第27-28页 |
2.3.1 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第27页 |
2.3.2 透射电镜分析(TEM) | 第27页 |
2.3.3 X射线能谱分析(EDS) | 第27页 |
2.3.4 X射线衍射分析(XRD) | 第27页 |
2.3.5 N_2吸附-脱附曲线分析(BET) | 第27页 |
2.3.6 光电子能谱分析(XPS) | 第27页 |
2.3.7 紫外-可见漫反射光谱分析(UV-Vis DRS) | 第27-28页 |
2.4 紫外/可见光光催化分解水制氢测试 | 第28-29页 |
第3章 (NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管的表征及其光催化制氢性能的研究 | 第29-38页 |
3.1 不同水热条件对钽基纳米材料的形貌控制 | 第29-30页 |
3.2 (NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管的分析表征 | 第30-34页 |
3.2.1 XRD分析表征 | 第30-31页 |
3.2.2 TEM分析表征 | 第31-32页 |
3.2.3 BET分析表征 | 第32-33页 |
3.2.4 XPS分析表征 | 第33-34页 |
3.2.5 DRS分析表征 | 第34页 |
3.3 (NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管光催化分解水制氢性能研究 | 第34-35页 |
3.4 Pt负载对(NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管光催化产氢性能的影响 | 第35-36页 |
3.5 Pt/(NH_4)_2Ta_2O_3F_6纳米管的光催化分解水制氢机理 | 第36-37页 |
3.6 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 Ta_2O_5纳米片的表征及其光催化制氢性能的研究 | 第38-46页 |
4.1 不同煅烧温度对Ta_2O_5形貌的影响 | 第38-39页 |
4.2 Ta_2O_5纳米片的表征 | 第39-43页 |
4.2.1 XRD分析表征 | 第39-40页 |
4.2.2 TEM和EDS分析表征 | 第40-41页 |
4.2.3 XPS分析表征 | 第41-42页 |
4.2.4 DRS分析表征 | 第42-43页 |
4.3 Ta_2O_5纳米片光催化制氢性能的研究 | 第43-45页 |
4.3.1 Ta_2O_5纳米片和商业Ta_2O_5光催化制氢性能的比较 | 第43-44页 |
4.3.2 Pt/Ta_2O_5纳米片可见光催化活性的研究 | 第44-45页 |
4.4 本章小结 | 第45-46页 |
第5章 Na_2Ta_2O_6和NaTaO_3纳米粒子的表征及其光催化制氢性能的研究 | 第46-50页 |
5.1 Na_2Ta_2O_6和NaTaO_3纳米粒子的表征 | 第46-48页 |
5.1.1 SEM分析表征 | 第46-47页 |
5.1.2 XRD分析表征 | 第47-48页 |
5.2 Na_2Ta_2O_6和NaTaO_3纳米粒子光催化制氢活性的研究 | 第48-49页 |
5.3 本章小结 | 第49-50页 |
结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-58页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
致谢 | 第60页 |