| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 摩尔定律以及新型器件的发展 | 第8-13页 |
| 1.2 隧穿场效应晶体管介绍 | 第13-19页 |
| 1.2.1 TFET的基本结构及工作原理 | 第13-15页 |
| 1.2.2 TFET器件的隧穿机理 | 第15-16页 |
| 1.2.3 新型TFET器件 | 第16-19页 |
| 1.3 TCAD仿真工具及模型 | 第19-22页 |
| 第二章 新型U型TFET的设计与仿真 | 第22-43页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 U型TFET的结构以及工作原理 | 第22-29页 |
| 2.2.1 直接带间隧穿与间接带间隧穿 | 第22-24页 |
| 2.2.2 量子局限效应及其他模型 | 第24-25页 |
| 2.2.3 点隧穿和线性隧穿 | 第25-27页 |
| 2.2.4 Si-UTFET的基本结构 | 第27-28页 |
| 2.2.5 Si-UTFET的工作原理 | 第28-29页 |
| 2.3 Si-UTFET的电学性能及参数影响 | 第29-33页 |
| 2.3.1 Si-UTFET的电学性能 | 第29-30页 |
| 2.3.2 源区掺杂浓度对性能的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.3 源区深度对性能的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.4 U型栅深度对性能的影响 | 第32-33页 |
| 2.4 SiGe-UTFET以及含delta层的的UTFET | 第33-40页 |
| 2.4.0 SiGe-UTFET的电学性能 | 第33-35页 |
| 2.4.1 含delta层的SiGe-UTFET的基本结构 | 第35-37页 |
| 2.4.2 几种结构的电学性能比较 | 第37-40页 |
| 2.5 U型TFET的工艺流程设计 | 第40-41页 |
| 2.6 小结 | 第41-43页 |
| 第三章 新型U型半浮栅晶体管的设计与仿真 | 第43-60页 |
| 3.1 引言 | 第43-48页 |
| 3.1.1 存储器简介 | 第43-44页 |
| 3.1.2 半浮栅晶体管简介 | 第44-48页 |
| 3.2 U型半浮栅晶体管存储器的基本结构和工作原理 | 第48-52页 |
| 3.2.1 U型半浮栅晶体管的基本结构 | 第48页 |
| 3.2.2 U型半浮栅晶体管的基本工作原理 | 第48-52页 |
| 3.3 U-SFGT的功能仿真及验证 | 第52页 |
| 3.4 U-SFGT的改进方法 | 第52-55页 |
| 3.4.1 高掺杂埋层注入 | 第52-54页 |
| 3.4.2 沟道局部注入 | 第54-55页 |
| 3.5 U型结构的优势分析 | 第55-58页 |
| 3.6 小结 | 第58-60页 |
| 第四章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 硕士期间发表论文和专利 | 第69-71页 |
