| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-48页 |
| 1.1 有机信息存储器件的研究现状及发展趋势 | 第11-32页 |
| 1.1.1 有机电存储器件的器件结构及存储类型 | 第11-20页 |
| 1.1.2 有机电存储材料的种类 | 第20-30页 |
| 1.1.3 电存储材料的发展趋势 | 第30-32页 |
| 1.2 有机信息存储器件的性能调控策略 | 第32-46页 |
| 1.2.1 材料结构调控 | 第32-34页 |
| 1.2.2 器件界面调控 | 第34-39页 |
| 1.2.3 多刺激源调控 | 第39-46页 |
| 1.3. 本论文的目的意义及研究内容 | 第46-48页 |
| 1.3.1 本论文选题的目的意义 | 第46-47页 |
| 1.3.2 本论文的研究内容以及创新点 | 第47-48页 |
| 第二章 通过精确调控活性层（Au@air@TiO_2-h+P3HT）中纳米粒子的含量制备Flash型电存储器件 | 第48-64页 |
| 2.1 引言 | 第48-49页 |
| 2.2 实验部分 | 第49-51页 |
| 2.2.1 原料及试剂 | 第49-50页 |
| 2.2.2 合成步骤 | 第50页 |
| 2.2.3 器件制备以及表征 | 第50-51页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第51-63页 |
| 2.4 结论 | 第63-64页 |
| 第三章 具有可逆热响应行为的三进制金属超分子聚合物存储器件的制备 | 第64-88页 |
| 3.1 简介 | 第64-65页 |
| 3.2 实验部分 | 第65-71页 |
| 3.2.1 试剂与药品 | 第65页 |
| 3.2.2 合成步骤 | 第65-70页 |
| 3.2.3 器件制备以及表征 | 第70-71页 |
| 3.2.4 材料表征 | 第71页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第71-87页 |
| 3.4 结论 | 第87-88页 |
| 第四章 通过调控炔金化合物器件中限制电流实现Flash型电存储行为 | 第88-104页 |
| 4.1 前言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-91页 |
| 4.2.1 试剂以及药品 | 第89页 |
| 4.2.2 合成化合物 1 （Complex 1）步骤 | 第89-90页 |
| 4.2.3 器件制备与表征 | 第90页 |
| 4.2.4 测试手段 | 第90页 |
| 4.2.5 单晶结构表征 | 第90-91页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第91-103页 |
| 4.3.1 光物理性质 | 第92-95页 |
| 4.3.2 器件的存储行为研究 | 第95-98页 |
| 4.3.3 器件存储行为机理探究 | 第98-103页 |
| 4.4 结论 | 第103-104页 |
| 第五章 具有电写光擦行为的炔金化合物器件的制备以及机理探究 | 第104-115页 |
| 5.1 前言 | 第104-105页 |
| 5.2 实验部分 | 第105-107页 |
| 5.2.1 试剂以及药品 | 第105页 |
| 5.2.2 合成化合物 2 （Complex 2）步骤 | 第105-106页 |
| 5.2.3 器件制备与表征 | 第106页 |
| 5.2.4 测试手段 | 第106-107页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第107-113页 |
| 5.3.1 器件的存储行为研究 | 第108-110页 |
| 5.3.2 器件存储行为机理探究 | 第110-113页 |
| 5.4 结论 | 第113-115页 |
| 第六章 全文总结 | 第115-117页 |
| 6.1 全文总结 | 第115页 |
| 6.2 存在的问题以及展望 | 第115-117页 |
| 攻读博士期间论文发表整理情况 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
