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金属氧化物TFT陷阱态分布(DOS)提取方法研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 研究背景第11-13页
    1.2 金属氧化物TFT特性第13-16页
    1.3 陷阱态提取的研究现状第16-17页
    1.4 主要研究内容及其意义第17-19页
    1.5 本章小结第19-20页
第二章 金属氧化物能态结构简介第20-27页
    2.1 引言第20页
    2.2 能态结构的定性分析第20-23页
    2.3 陷阱态分布对电特性的影响第23-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 提取陷阱态分布的低频C-V特性法第27-46页
    3.1 引言第27页
    3.2 低频C-V特性法第27-34页
        3.2.1 DOS提取原理第28-32页
        3.2.2 提取步骤第32页
        3.2.3 实验测试第32-34页
    3.3 结果与分析第34-44页
    3.4 本章小结第44-46页
第四章 金属氧化物TFT阈值电压模型第46-58页
    4.1 引言第46页
    4.2 表面势的计算模型第46-51页
    4.3 阈值电压模型第51-53页
    4.4 结果与讨论第53-56页
    4.5 本章小结第56-58页
结论第58-60页
参考文献第60-68页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第68-69页
致谢第69-70页
附件第70页

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