金属氧化物TFT陷阱态分布（DOS）提取方法研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 金属氧化物TFT特性 | 第13-16页 |
| 1.3 陷阱态提取的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 主要研究内容及其意义 | 第17-19页 |
| 1.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 金属氧化物能态结构简介 | 第20-27页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 能态结构的定性分析 | 第20-23页 |
| 2.3 陷阱态分布对电特性的影响 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 提取陷阱态分布的低频C-V特性法 | 第27-46页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 低频C-V特性法 | 第27-34页 |
| 3.2.1 DOS提取原理 | 第28-32页 |
| 3.2.2 提取步骤 | 第32页 |
| 3.2.3 实验测试 | 第32-34页 |
| 3.3 结果与分析 | 第34-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 金属氧化物TFT阈值电压模型 | 第46-58页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 表面势的计算模型 | 第46-51页 |
| 4.3 阈值电压模型 | 第51-53页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附件 | 第70页 |
