| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 冶金法多晶硅的概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1 冶金法多晶硅的生产工艺 | 第13-14页 |
| 1.2.2 冶金法多晶硅的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 冶金法多晶硅的晶体缺陷 | 第15-24页 |
| 1.3.1 冶金法多晶硅中的位错 | 第15-16页 |
| 1.3.2 冶金法多晶硅中的晶界 | 第16-17页 |
| 1.3.3 晶界的平衡结构 | 第17-21页 |
| 1.3.3.1 几何模型 | 第18-19页 |
| 1.3.3.2 位错模型 | 第19-20页 |
| 1.3.3.3 结构单元模型 | 第20-21页 |
| 1.3.4 晶界的晶体缺陷 | 第21-24页 |
| 1.3.4.1 点缺陷 | 第21-22页 |
| 1.3.4.2 线缺陷 | 第22-23页 |
| 1.3.4.3 体缺陷 | 第23-24页 |
| 1.4 冶金法多晶硅的电学性能 | 第24-25页 |
| 1.4.1 多晶硅的少数载流子寿命 | 第24页 |
| 1.4.2 多晶硅的电阻率 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文研究内容及意义 | 第25-27页 |
| 1.5.1 本论文研究的内容 | 第25-26页 |
| 1.5.2 本论文研究的意义 | 第26页 |
| 1.5.3 本论文研究的创新点 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法及设备 | 第27-34页 |
| 2.1 实验材料及方法 | 第27-29页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第27-28页 |
| 2.1.3 实验方法 | 第28-29页 |
| 2.2 实验材料的制备 | 第29页 |
| 2.2.1 EBSD样品的制备 | 第29页 |
| 2.2.2 金相样品的制备 | 第29页 |
| 2.3 少数载流子寿命测试仪的工作原理 | 第29-31页 |
| 2.4 电阻率测试仪的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.5 EBSD的工作原理 | 第32-34页 |
| 第三章 冶金法多晶硅的快速热处理实验研究 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 快速热处理温度对冶金法多晶硅的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.1 快速热处理温度对位错缺陷的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 快速热处理温度对电学性能的影响 | 第35-38页 |
| 3.3 快速热处理保温时间对冶金法多晶硅的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.1 快速热处理保温时间对位错缺陷的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 快速热处理保温时间对电学性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 冶金法多晶硅晶体缺陷的变化 | 第40-46页 |
| 3.4.1 晶粒尺寸的变化 | 第41-42页 |
| 3.4.2 晶界缺陷的变化 | 第42-45页 |
| 3.4.3 晶体取向的变化 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 冶金法多晶硅的常规热处理实验研究 | 第48-61页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 常规热处理温度对冶金法多晶硅的影响 | 第48-52页 |
| 4.2.1 常规热处理温度对位错缺陷的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.2 常规热处理温度对电学性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.3 常规热处理保温时间对冶金法多晶硅的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.1 常规热处理保温时间对位错缺陷的影响 | 第53页 |
| 4.3.2 常规热处理保温时间对电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 冶金法多晶硅晶体缺陷的变化 | 第54-60页 |
| 4.4.1 晶粒尺寸的变化 | 第55-56页 |
| 4.4.2 晶界缺陷的变化 | 第56-59页 |
| 4.4.3 晶体取向的变化 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 冶金法多晶硅的晶体缺陷和电学性能的演变规律 | 第61-72页 |
| 5.1 冶金法多晶硅的晶体缺陷演变 | 第61-66页 |
| 5.1.1 位错缺陷的演变规律 | 第61-63页 |
| 5.1.2 晶粒尺寸的演变规律 | 第63-64页 |
| 5.1.3 晶界缺陷的演变规律 | 第64-65页 |
| 5.1.4 晶体取向的演变规律 | 第65-66页 |
| 5.2 冶金法多晶硅的电学性能演变 | 第66-71页 |
| 5.2.1 少数载流子寿命演变规律 | 第66-68页 |
| 5.2.2 电阻率演变规律 | 第68-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 结论 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-82页 |
| 附录 | 第82页 |