基于电化学刻蚀的微流控芯片模具制作
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 铸层与基底界面结合强度研究现状 | 第8-13页 |
| 1.2.1 基底预处理 | 第8-9页 |
| 1.2.2 调整电铸工艺参数 | 第9-11页 |
| 1.2.3 电铸后处理 | 第11-12页 |
| 1.2.4 复合加工 | 第12-13页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 2 结合强度的测量方法与实验 | 第15-27页 |
| 2.1 铸层与基底结合强度的测量方法 | 第15-20页 |
| 2.1.1 薄膜与基底的结合力测量 | 第15-18页 |
| 2.1.2 铸层与基底的剪切力测量装置搭建 | 第18-20页 |
| 2.2 铸层与基底结合强度实验 | 第20-26页 |
| 2.2.1 基板预处理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 SU-8 胶膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.3 酸洗工艺 | 第23页 |
| 2.2.4 电化学刻蚀工艺 | 第23-25页 |
| 2.2.5 微电铸工艺 | 第25页 |
| 2.2.6 胶膜去除 | 第25页 |
| 2.2.7 剪切力测量 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 酸洗与电化学刻蚀提高界面结合强度的机理 | 第27-50页 |
| 3.1 界面结合强度的提高值 | 第27-28页 |
| 3.2 剪切强度测量误差分析 | 第28-32页 |
| 3.2.1 测量误差分析 | 第28-30页 |
| 3.2.2 产生误差原因分析 | 第30-32页 |
| 3.3 酸洗提高界面结合强度的机理 | 第32-35页 |
| 3.3.1 酸洗的作用原理 | 第33页 |
| 3.3.2 酸洗标准的确定 | 第33-35页 |
| 3.4 电化学刻蚀工艺对界面结合强度的影响 | 第35-48页 |
| 3.4.1 刻蚀深度均匀性的影响因素 | 第35-42页 |
| 3.4.2 刻蚀过程中的侧蚀现象分析 | 第42-46页 |
| 3.4.3 刻蚀提高铸层与基底结合强度的机理 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 4 双十字微流控芯片模具制作 | 第50-60页 |
| 4.1 双十字微流控芯片模具制作工艺流程 | 第50-55页 |
| 4.1.1 掩膜版设计 | 第50页 |
| 4.1.2 基于UV-LIGA工艺的模具制作 | 第50-55页 |
| 4.2 问题分析与讨论 | 第55-59页 |
| 4.2.1 胶膜制作中显影不干净 | 第55-58页 |
| 4.2.2 各参数下的模具制作分析 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
