| 引言 | 第1-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·课题的研究背景 | 第9-10页 |
| ·CMOS电路的功耗 | 第10页 |
| ·能量回收电路原理 | 第10页 |
| ·本课题的研究内容和总体框架 | 第10-12页 |
| 2 CMOS电路静态功耗 | 第12-18页 |
| ·CMOS电路漏电流来源 | 第12-14页 |
| ·亚阈值漏电流 | 第12-13页 |
| ·栅漏电流 | 第13页 |
| ·漏源与衬底之间的PN结反偏漏电流 | 第13-14页 |
| ·漏功耗减小技术 | 第14-17页 |
| ·功控休眠技术 | 第14-15页 |
| ·双阈值技术 | 第15-16页 |
| ·P型电路设计结构 | 第16页 |
| ·沟道长度偏置技术 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 3 CPAL SRAM电路设计及其优化 | 第18-38页 |
| ·CPAL电路 | 第18-21页 |
| ·CPAL电路的基本结构 | 第18-20页 |
| ·CPAL电路的漏功耗 | 第20-21页 |
| ·CPAL SRAM电路的设计 | 第21-31页 |
| ·SRAM存储单元电路 | 第22-27页 |
| ·地址译码器 | 第27-28页 |
| ·读写驱动电路 | 第28-29页 |
| ·CPAL SRAM电路 | 第29-31页 |
| ·CPAL SRAM电路的优化 | 第31-37页 |
| ·应用双阈值技术的CPAL SRAM | 第31-33页 |
| ·应用沟道长度偏置技术的CPAL SRAM | 第33-35页 |
| ·近阈值技术 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 PAL-2N SRAM电路设计及优化 | 第38-56页 |
| ·PAL-2N电路 | 第38-40页 |
| ·PAL-2N电路的基本结构 | 第38-40页 |
| ·PAL-2N电路的漏功耗 | 第40页 |
| ·PAL-2N SRAM电路及版图设计 | 第40-48页 |
| ·全定制设计方法 | 第41-44页 |
| ·存储单元电路以及版图 | 第44-46页 |
| ·地址译码器电路 | 第46页 |
| ·读写驱动电路以及版图 | 第46-47页 |
| ·PAL-2N SRAM电路图以及版图 | 第47-48页 |
| ·PAL-2N SRAM电路的优化 | 第48-54页 |
| ·应用沟道长度偏置技术的PAL-2N SRAM | 第48-49页 |
| ·应用双阈值技术的PAL-2N SRAM | 第49-50页 |
| ·应用DTCMOS技术和沟道长度偏置技术的PAL-2N SRAM | 第50-51页 |
| ·应用功控技术的PAL-2N SRAM电路 | 第51-53页 |
| ·近阈值技术 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 5 基于Fin FET技术的SRAM电路 | 第56-63页 |
| ·基于Fin FET晶体管的电路 | 第56-58页 |
| ·基于Fin FET晶体管的PAL-2N电路 | 第58页 |
| ·SRAM电路 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 6 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 摘要 | 第69-70页 |
| abstract | 第70页 |