基于MEMS的4H-SiC压力传感器工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-25页 |
| ·微机电系统 | 第8-13页 |
| ·MEMS材料 | 第9-10页 |
| ·MEMS加工工艺 | 第10-11页 |
| ·MEMS应用 | 第11-13页 |
| ·压阻式半导体压力传感器 | 第13-21页 |
| ·压阻效应 | 第13-16页 |
| ·硅压力传感器 | 第16-18页 |
| ·SiC高温压力传感器 | 第18-21页 |
| ·其它结构的SiC压力传感器 | 第21-22页 |
| ·我国在SiC压力传感器方面的研究进展 | 第22-24页 |
| ·课题研究目标和主要内容 | 第24-25页 |
| 第二章 碳化硅压力传感器敏感膜片和压阻条制备 | 第25-44页 |
| ·芯片材料 | 第25-26页 |
| ·敏感膜片制备 | 第26-39页 |
| ·工艺流程的确立 | 第26-32页 |
| ·RCA清洗及氧化处理 | 第26-28页 |
| ·光刻图形化 | 第28-30页 |
| ·干法刻蚀 | 第30-32页 |
| ·敏感膜片制备工艺研究 | 第32-39页 |
| ·掩膜制备：微电镀研究 | 第32-36页 |
| ·RIE干法刻蚀 | 第36-39页 |
| ·压阻条的制备 | 第39-42页 |
| ·传统工艺流程 | 第39-41页 |
| ·工艺流程的改进 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 碳化硅压力传感器欧姆接触层和引线层制备 | 第44-58页 |
| ·金属/半导体接触 | 第44-46页 |
| ·刻蚀方法对制备接触窗口的影响 | 第46-48页 |
| ·湿法腐蚀工艺 | 第47页 |
| ·干法刻蚀工艺 | 第47-48页 |
| ·欧姆接触层制备 | 第48-54页 |
| ·加工工艺流程 | 第49-50页 |
| ·退火工艺对欧姆接触性能和表面形貌的影响 | 第50-54页 |
| ·引线层制备 | 第54-57页 |
| ·传统工艺流程 | 第54-55页 |
| ·工艺流程的改进 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 碳化硅压力传感器工艺整合与传感器初步测试 | 第58-65页 |
| ·工艺整合研究 | 第58-62页 |
| ·传感器初步测试 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
