| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·半导体紫外光电探测器 | 第12-21页 |
| ·ZnO 基半导体紫外探测器研究现状 | 第21-26页 |
| ·ZnO 基半导体紫外探测器目前主要存在问题和未来发展方向 | 第26-29页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 MgZnO 材料制备方法和表征手段以及紫外探测器件的制备和测量系统 | 第31-45页 |
| ·MgZnO 薄膜的制备技术 | 第31-32页 |
| ·紫外探测器件的制备工艺 | 第32-33页 |
| ·薄膜性质表征手段 | 第33-41页 |
| ·紫外光电探测器件性能测试手段介绍 | 第41-45页 |
| 第3章 高质量 MgZnO 薄膜的制备及表征 | 第45-55页 |
| ·MgZnO 薄膜的制备技术手段 | 第45-49页 |
| ·MgZnO 薄膜的制备 | 第49-50页 |
| ·MgZnO 薄膜的表征 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 Au 电极厚度对 MgZnO 紫外探测器性能的影响 | 第55-65页 |
| ·Au 电极厚度对器件透光性的影响 | 第57-59页 |
| ·Au 电极厚度对器件导电性的影响 | 第59-61页 |
| ·Au 电极厚度对器件光响应的影响 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·全文总结 | 第65-66页 |
| ·研究展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第73-75页 |
| 指导教师及作者简介 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
