CMOS图像传感器列级电路的研究及其后端的实现
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·CMOS 图像传感器简介 | 第8页 |
| ·CMOS 图像传感器基本工作原理 | 第8-9页 |
| ·像素阵列的基本工作原理 | 第9-10页 |
| ·CMOS 传感器性能受到的的主要影响 | 第10-11页 |
| ·噪声 | 第10页 |
| ·暗电流 | 第10页 |
| ·像素饱和与溢出模糊 | 第10-11页 |
| ·CMOS 图像传感器的现阶段市场状况 | 第11页 |
| ·CMOS 传感器在产品中的诸多应用 | 第11-13页 |
| ·数码相机 | 第11-12页 |
| ·CMOS 数字摄像机 | 第12页 |
| ·CMOS 在其他领域的应用 | 第12-13页 |
| ·本章总结 | 第13-14页 |
| 第二章 列级电路基本结构介绍 | 第14-24页 |
| ·单斜 ADC 的工作原理 | 第14-15页 |
| ·斜坡发生器的工作原理与电路实现 | 第15-17页 |
| ·比较器设计 | 第17-19页 |
| ·输出寄存器 | 第19页 |
| ·参考电压产生电路 | 第19-20页 |
| ·列读出电路中运算放大器 | 第20-21页 |
| ·偏置电路设计 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 后端设计的基本原理及需要解决的问题 | 第24-34页 |
| ·后端实现的基本原理和作用 | 第24页 |
| ·layout 时需要注意的问题 | 第24-31页 |
| ·闩锁问题（latch-up) | 第24-26页 |
| ·Latch up 的定义 | 第24页 |
| ·Latch up 的原理分析 | 第24-25页 |
| ·引发闩锁产生的原因 | 第25页 |
| ·防止闩锁效应的技术 | 第25-26页 |
| ·天线效应 | 第26-29页 |
| ·天线效应的产生机理 | 第26页 |
| ·消除天线效应的方法 | 第26-27页 |
| ·天线效应规则文件 | 第27-29页 |
| ·电迁移 | 第29页 |
| ·金属密度 | 第29-31页 |
| ·版图在新技术下的新变化 | 第31-33页 |
| ·金属线的距离与密度 | 第31页 |
| ·通孔的空隙问题 | 第31-32页 |
| ·光学增强技术 | 第32页 |
| ·可制造性设计 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 列级电路中后端的隔离和匹配 | 第34-47页 |
| ·隔离 | 第34-37页 |
| ·N 阱隔离 | 第34页 |
| ·保护环隔离 | 第34-35页 |
| ·深阱隔离 | 第35-37页 |
| ·金属线隔离 | 第37页 |
| ·匹配 | 第37-46页 |
| ·MOS 管的匹配 | 第37-42页 |
| ·形状方向等对匹配的影响 | 第37-38页 |
| ·扩散和刻蚀率对匹配的影响 | 第38页 |
| ·芯片上的参数梯度对匹配的影响 | 第38-39页 |
| ·版图中减小 MOS 管梯度的方法 | 第39-42页 |
| ·电容和电阻的匹配 | 第42-46页 |
| ·造成电容和电阻失配的原因 | 第42-43页 |
| ·消除梯度影响的共质心排布方法 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 列级电路阵列后端的实现 | 第47-55页 |
| ·模块布局 | 第47-48页 |
| ·具体版图的实现 | 第48-54页 |
| ·模拟部分的版图 | 第48-53页 |
| ·MIM 电容阵列的画法 | 第50-52页 |
| ·对阵列噪声的隔离 | 第52-53页 |
| ·电源线的排布 | 第53页 |
| ·数字部分的版图 | 第53-54页 |
| ·在画列电路版图时需要遵循的原则 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 全文总结及未来展望 | 第55-56页 |
| ·全文总结 | 第55页 |
| ·未来展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
