声体波器件工艺优化的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·论文目的及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·国外研究现状 | 第11-12页 |
| ·国内研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第13页 |
| ·声体波工程化研究的延迟线技术指标 | 第13页 |
| ·保证工程化的成品率指标 | 第13页 |
| ·本论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 BAW 微波延迟线原理与性能 | 第15-26页 |
| ·BAW 微波延迟线原理与性能 | 第15-16页 |
| ·基本工作原理 | 第15-16页 |
| ·基本性能 | 第16页 |
| ·微波 BAW 的激励 | 第16-26页 |
| ·压电薄膜换能器 | 第16-17页 |
| ·一维 Mason 模型 | 第17-23页 |
| ·一维传输矩阵模型 | 第23-26页 |
| 第三章 BAW 延迟线设计技术优化及分析 | 第26-32页 |
| ·BAW 延迟线优化流程 | 第26-27页 |
| ·参数设计 | 第27-32页 |
| ·传声介质（晶体材料）的选取 | 第27页 |
| ·换能器的材料选择与设计 | 第27-30页 |
| ·匹配网络 | 第30-31页 |
| ·封装设计 | 第31-32页 |
| 第四章 BAW 延迟线工艺技术优化及分析 | 第32-70页 |
| ·现行工艺路线及存在的问题 | 第32-38页 |
| ·现行工艺路线 | 第32页 |
| ·现行工艺路线存在的问题 | 第32-38页 |
| ·电极准直 | 第33-34页 |
| ·压铟键合 | 第34-36页 |
| ·ZnO 的制备 | 第36-37页 |
| ·器件封装 | 第37-38页 |
| ·工艺技术优化及分析 | 第38-49页 |
| ·电极对准技术 | 第38-44页 |
| ·光刻工艺 | 第38-43页 |
| ·双面光刻工艺 | 第43-44页 |
| ·底电极和上电极引出技术 | 第44-47页 |
| ·铝丝超声键合 | 第45-46页 |
| ·金丝热压楔形键合 | 第46页 |
| ·金丝球焊 | 第46页 |
| ·金带键合 | 第46-47页 |
| ·封装技术 | 第47-49页 |
| ·平行焊接 | 第47-49页 |
| ·新工艺路线的确定 | 第49页 |
| ·工艺难点与分析 | 第49-65页 |
| ·高质量 ZnO 膜制备 | 第49-56页 |
| ·磁控溅射原理 | 第50-51页 |
| ·成膜过程 | 第51-52页 |
| ·工艺条件对薄膜性能影响的理论分析 | 第52-53页 |
| ·ZnO 成膜技术的优化 | 第53-56页 |
| ·多层薄膜超声键合的实现 | 第56-62页 |
| ·电极倒置技术 | 第57页 |
| ·超声键合工艺技术优化 | 第57-62页 |
| ·电极成形技术 | 第62-65页 |
| ·可靠性分析与实验 | 第65-70页 |
| ·声体波器件的主要失效模式 | 第65-67页 |
| ·主要失效隐患及控制 | 第67-70页 |
| ·键合可靠性 | 第67页 |
| ·电极准直及成形 | 第67页 |
| ·芯片表面多余物及污染控制 | 第67-68页 |
| ·可靠性试验 | 第68-70页 |
| 第五章 研制及测试结果 | 第70-75页 |
| ·工艺分析及实验结果 | 第70页 |
| ·测试结果及指标完成情况 | 第70-75页 |
| ·技术性能 | 第70-73页 |
| ·测试结果以及与研制目标的比较 | 第70-73页 |
| ·与仿真结果的比较 | 第73页 |
| ·成品率 | 第73页 |
| ·批生产能力 | 第73-74页 |
| ·可靠性问题 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| ·设计方面 | 第75页 |
| ·工艺方面 | 第75-76页 |
| ·器件研制 | 第76页 |
| ·存在的问题及下一步打算 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
