| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-36页 |
| ·真空微电子学和场发射显示器 | 第14-18页 |
| ·真空微电子学 | 第14-15页 |
| ·场发射显示器 | 第15-18页 |
| ·场发射显示器的优点 | 第15-17页 |
| ·场发射显示器的工作原理 | 第17页 |
| ·场发射阴极材料 | 第17-18页 |
| ·场致电子发射的几个相关概念 | 第18-21页 |
| ·功函数 | 第18页 |
| ·电子亲合势 | 第18-19页 |
| ·电负性 | 第19-20页 |
| ·场增强因子 | 第20-21页 |
| ·电子的发射 | 第21-25页 |
| ·热电子发射 | 第21-22页 |
| ·肖特基效应 | 第22页 |
| ·场致电子发射 | 第22-24页 |
| ·热场致电子发射 | 第24-25页 |
| ·半导体场致电子发射 | 第25-27页 |
| ·不考虑场渗透 | 第25页 |
| ·考虑场渗透 | 第25-26页 |
| ·考虑表面态 | 第26-27页 |
| ·半导体的内场致电子发射 | 第27页 |
| ·介质薄膜场致电子发射 | 第27-28页 |
| ·电子在薄膜体内的传导 | 第28-29页 |
| ·场致电子发射研究历史、现状 | 第29-31页 |
| ·本论文的选题与研究内容 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第2章 类金刚石薄膜和碳氮薄膜的电化学制备及场发射特性研究 | 第36-62页 |
| ·电化学方法及实验装置 | 第36-39页 |
| ·电化学方法的优点 | 第36-37页 |
| ·电化学沉积DLC薄膜和CN_x薄膜的装置 | 第37-38页 |
| ·场电子发射测量装置 | 第38-39页 |
| ·DLC薄膜的制备及其场发射特性研究 | 第39-50页 |
| ·DLC薄膜的结构和分类 | 第39-40页 |
| ·DLC薄膜的形成机理 | 第40页 |
| ·DLC薄膜的沉积方法 | 第40-42页 |
| ·无H的DLC薄膜沉积方法 | 第40-41页 |
| ·含H的DLC薄膜沉积方法 | 第41-42页 |
| ·DLC薄膜的应用 | 第42-43页 |
| ·电化学沉积DLC薄膜的研究进展 | 第43-44页 |
| ·电化学沉积DLC薄膜的制备 | 第44页 |
| ·实验过程分析 | 第44-47页 |
| ·电压对电流密度的影响 | 第44-45页 |
| ·温度对电流密度的影响 | 第45-46页 |
| ·沉积时间对电流密度的影响 | 第46-47页 |
| ·电化学沉积DLC薄膜的结构特性 | 第47-49页 |
| ·DLC薄膜的表面形貌 | 第47页 |
| ·DLC薄膜的傅立叶变换红外吸收谱 | 第47-48页 |
| ·DLC薄膜的拉曼谱 | 第48-49页 |
| ·DLC薄膜的场发射特性 | 第49-50页 |
| ·CN_x薄膜的制备及其场发射特性研究 | 第50-57页 |
| ·CN_x薄膜的结构 | 第50-51页 |
| ·CN_x薄膜的沉积方法 | 第51页 |
| ·CN_x薄膜的应用 | 第51-52页 |
| ·CN_x薄膜的研究进展 | 第52-53页 |
| ·电化学沉积CN_x薄膜的制备 | 第53页 |
| ·实验过程分析 | 第53-54页 |
| ·电化学沉积CN_x薄膜的结构特性 | 第54-56页 |
| ·CN_x薄膜的表面形貌 | 第54-55页 |
| ·CN_x薄膜的傅立叶变换红外吸收谱 | 第55-56页 |
| ·CN_x薄膜的场发射特性 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第3章 非晶氮化镓薄膜的直流溅射制备与场发射特性研究 | 第62-80页 |
| ·a-GaN薄膜的应用和场发射研究 | 第62-65页 |
| ·GaN材料的发展和应用 | 第62-63页 |
| ·a-GaN薄膜的制备方法 | 第63页 |
| ·a-GaN薄膜的独特性质 | 第63-64页 |
| ·a-GaN薄膜的场发射研究进展 | 第64-65页 |
| ·a-GaN薄膜的制备 | 第65-66页 |
| ·a-GaN薄膜的结构特性和场发射特性 | 第66-72页 |
| ·a-GaN薄膜的X射线衍射 | 第66页 |
| ·a-GaN薄膜的透射电镜 | 第66-68页 |
| ·a-GaN薄膜的原子力显微镜 | 第68页 |
| ·a-GaN薄膜的傅立叶红外吸收谱 | 第68页 |
| ·a-GaN薄膜的场发射特性 | 第68-72页 |
| ·改进的场发射测量装置 | 第68-69页 |
| ·a-GaN薄膜的场发射特性 | 第69-72页 |
| ·H等离子体刻蚀对a-GaN薄膜形貌和场发射特性的影响 | 第72-77页 |
| ·H等离子体处理对a-GaN薄膜形貌的影响 | 第72-73页 |
| ·H等离子处理对a-GaN薄膜的场发射特性的影响 | 第73-77页 |
| ·Si掺杂对a-GaN薄膜场发射特性的影响 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第4章 GaN、InGaN和InN纳米线的制备与场发射特性研究 | 第80-103页 |
| ·一维纳米材料的研究 | 第80-83页 |
| ·一维纳米材料 | 第80-81页 |
| ·一维纳米材料的场发射特性研究 | 第81-82页 |
| ·Ⅲ族氮化物纳米结构的场发射特性研究 | 第82-83页 |
| ·GaN纳米线的生长及其场发射特性研究 | 第83-88页 |
| ·GaN样品的生长参数 | 第84页 |
| ·GaN样品的扫描电镜 | 第84-85页 |
| ·GaN纳米线的透射电镜 | 第85-86页 |
| ·GaN纳米线的光致发光谱 | 第86-87页 |
| ·GaN纳米线的场发射特性 | 第87-88页 |
| ·InGaN纳米线的生长及其场发射特性研究 | 第88-94页 |
| ·InGaN样品的生长参数 | 第88-89页 |
| ·InGaN样品的扫描电镜 | 第89-90页 |
| ·InGaN纳米线的透射电镜 | 第90-91页 |
| ·InGaN纳米线的X射线衍射 | 第91页 |
| ·InGaN纳米线的光致发光谱 | 第91-92页 |
| ·InGaN纳米线的场发射特性 | 第92-94页 |
| ·InN纳米线的生长及其场发射特性研究 | 第94-98页 |
| ·InN样品的生长参数 | 第94-95页 |
| ·InN样品的扫描电镜 | 第95页 |
| ·InN纳米线的透射电镜 | 第95-96页 |
| ·InN纳米线的场发射特性 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第5章 HfN_xO_y薄膜的制备与场发射特性研究 | 第103-112页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的制备 | 第104页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的结构和场发射特性研究 | 第104-110页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的X射线衍射 | 第104-105页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的扫描电镜 | 第105-107页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的原子力显微镜 | 第107-109页 |
| ·HfN_xO_y薄膜的场发射特性 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-112页 |
| 总结 | 第112-117页 |
| 博士期间所发表的学术论文 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
