| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·国内外GTO研究现状 | 第8-9页 |
| ·GTO的发展状况及国外研究现状 | 第8-9页 |
| ·国内GTO研究现状 | 第9页 |
| ·选题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·本文主要工作及安排 | 第10-12页 |
| 第二章 GTO器件的工作原理 | 第12-19页 |
| ·GTO的结构 | 第12-13页 |
| ·GTO的开通原理 | 第13-14页 |
| ·GTO的关断原理 | 第14-17页 |
| ·本章小结 | 第17-19页 |
| 第三章 3kA/4.5kV GTO扩散工艺研究与模拟 | 第19-30页 |
| ·GTO工艺介绍 | 第19-20页 |
| ·掺杂工艺的选择 | 第20-21页 |
| ·硼离子注入及推进 | 第21-22页 |
| ·离子注入介绍及特点 | 第21页 |
| ·硼离子注入及推进扩散 | 第21-22页 |
| ·改进的铝闭管扩散 | 第22-24页 |
| ·闭管铝扩散 | 第22-23页 |
| ·改进的铝扩散工艺—饱和源扩散 | 第23-24页 |
| ·工艺模拟及结果分析 | 第24-29页 |
| ·工艺模拟的目的和意义 | 第24页 |
| ·扩散工艺模拟 | 第24-27页 |
| ·模拟结果分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 3kA/4.5kV GTO的精密光刻 | 第30-41页 |
| ·光刻原理简述 | 第30-31页 |
| ·GTO的光刻特点 | 第31页 |
| ·光刻机的性能 | 第31-32页 |
| ·光刻胶的选用 | 第32-34页 |
| ·光刻胶的选择 | 第32-33页 |
| ·光刻胶粘度及涂胶速度的确定 | 第33-34页 |
| ·SiO_2刻蚀 | 第34-36页 |
| ·湿法腐蚀原理 | 第35页 |
| ·准确控制腐蚀温度和时间 | 第35页 |
| ·巧妙设计工艺流程，减少缺陷影响 | 第35-36页 |
| ·SiO_2刻蚀试验结果 | 第36-37页 |
| ·硅腐蚀挖槽工艺的改进 | 第37-39页 |
| ·门阴极的“类台面”挖槽结构 | 第37-38页 |
| ·旋转式湿法挖槽 | 第38-39页 |
| ·实验结果 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 3kA/4.5kV GTO特性测试 | 第41-48页 |
| ·GTO的主要额定值及符号 | 第41-42页 |
| ·3kA/4.5kV GTO器件特性测试 | 第42-46页 |
| ·静态特性 | 第42-43页 |
| ·动态特性 | 第43-46页 |
| ·器件特性分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 结束语 | 第48-51页 |
| ·工作回顾与总结 | 第48-49页 |
| ·后续工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 附录 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第60页 |