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质子引起纳米SRAM器件单粒子翻转研究

中文摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第10-26页
    1.1 空间辐射环境第11-17页
    1.2 单粒子效应简介第17-22页
    1.3 质子单粒子效应研究概况第22-26页
第二章 质子单粒子效应研究方法简介第26-38页
    2.1 质子单粒子效应试验方法概况第26-30页
    2.2 质子单粒子效应理论与计算方法研究概况第30-38页
第三章 低能质子直接电离引起单粒子翻转研究第38-60页
    3.1 质子引起单粒子翻转机制第38-41页
    3.2 重离子引起纳米SRAM器件单粒子翻转第41-44页
    3.3 90nm特征尺寸SRAM器件低能质子单粒子翻转试验研究第44-48页
    3.4 65nm特征尺寸SRAM器件低能质子单粒子翻转试验研究第48-60页
第四章 中高能质子核反应引起单粒子翻转研究第60-78页
    4.1 高能质子辐照终端及测试系统第61-65页
    4.2 实验结果第65-68页
    4.3 温度的影响第68-71页
    4.4 空间在轨错误率预估第71-75页
    4.5 小结第75-78页
第五章 质子能量展宽对单粒子翻转的影响第78-94页
    5.1 单粒子效应中降能片的使用概况第78-80页
    5.2 模型构建第80-83页
    5.3 能量歧离对单粒子翻转的影响第83-89页
    5.4 对空间在轨错误率预估的影响第89-91页
    5.5 小结第91-94页
第六章 结论及展望第94-98页
    6.1 结论第94-95页
    6.2 未来展望第95-98页
参考文献第98-112页
攻读博士期间研究成果第112-114页
致谢第114-115页

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