中温制备多晶硅薄膜及相关理论问题的探讨
摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-11页 |
第一章 引言 | 第11-24页 |
·太阳能电池的原理及研究意义 | 第11-16页 |
·太阳能电池的发展及现状 | 第16-23页 |
·单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池 | 第17-18页 |
·薄膜太阳电池 | 第18-23页 |
·本论文的研究内容 | 第23-24页 |
第二章 低成本高可靠太阳电池技术路线的研究 | 第24-42页 |
·硅材料地位的确定 | 第24-26页 |
·体材料与薄膜材料的对比 | 第26-29页 |
·多晶硅薄膜电池的确定 | 第29-33页 |
·中温制备多晶硅薄膜太阳电池的选择 | 第33-38页 |
·多晶硅薄膜制备中的关键问题 | 第38-42页 |
第三章 中温电阻炉退火制备多晶硅薄膜 | 第42-62页 |
·引言 | 第42-45页 |
·中温电阻炉退火的温度研究 | 第45-55页 |
·实验的设计思想 | 第45页 |
·材料性能的表征 | 第45-48页 |
·第一阶段实验 | 第48-54页 |
·第二阶段实验 | 第54-55页 |
·中温电阻炉退火的时间研究 | 第55-61页 |
·实验的设计思想 | 第55页 |
·实验方法 | 第55-56页 |
·实验结果与讨论 | 第56-61页 |
·结论 | 第61-62页 |
第四章 中温光退火制备多晶硅薄膜 | 第62-82页 |
·实验设备 | 第62-63页 |
·中温光退火的温度研究 | 第63-69页 |
·实验的设计思想 | 第63-64页 |
·实验方法 | 第64页 |
·实验结果与讨论 | 第64-69页 |
·中温光退火的时间研究 | 第69-75页 |
·实验的设计思想 | 第69页 |
·实验方法 | 第69页 |
·实验结果与讨论 | 第69-75页 |
·结论 | 第75页 |
·常规退火与光退火固相晶化的对比 | 第75-82页 |
·实验的设计思想 | 第75-76页 |
·实验方法 | 第76页 |
·实验结果与讨论 | 第76-81页 |
·结论 | 第81-82页 |
第五章 制备硅膜中衰变、衬底温度和结合问题 | 第82-97页 |
·衬底温度对薄膜二次晶化的影响 | 第82-88页 |
·实验方法 | 第82-83页 |
·实验结果与讨论 | 第83-88页 |
·结论 | 第88页 |
·非晶硅薄膜自然衰变的研究 | 第88-91页 |
·实验方法 | 第88-89页 |
·实验结果与讨论 | 第89-91页 |
·结论 | 第91页 |
·关于硅薄膜与玻璃衬底的结合问题 | 第91-94页 |
·结论 | 第94-97页 |
第六章 分析与计算 | 第97-114页 |
·极值点现象的分析 | 第98-100页 |
·极值点现象的物理思想 | 第100-102页 |
·等能量驱动原理 | 第102-103页 |
·光退火制备多晶硅薄膜的计算 | 第103-114页 |
第七章 总结与展望 | 第114-116页 |
·本文的总结与创新点 | 第114-115页 |
·展望 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-128页 |
在读期间发表的文章 | 第128-129页 |
致谢 | 第129页 |