| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 第一章 Ⅲ族氮化物材料特性及生长概述 | 第11-35页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本结构与性质 | 第12-19页 |
| ·GaN的基本结构 | 第12-17页 |
| ·Ⅲ族氮化物的能带结构 | 第17-19页 |
| ·GaN基器件应用 | 第19-20页 |
| ·光学器件 | 第19-20页 |
| ·电学器件 | 第20页 |
| ·氮化物材料生长 | 第20-25页 |
| ·异质外延生长技术 | 第21-23页 |
| ·异质外延生长衬底材料的选择 | 第23-25页 |
| ·Si衬底GaN基材料及器件的研究进展 | 第25-31页 |
| ·Si衬底GaN基材料的研究进展 | 第25-27页 |
| ·Si衬底LED器件研究进展 | 第27-31页 |
| ·si衬底GaN基电子器件的研究进展 | 第31页 |
| ·本论文工作的内容与安排 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第二章 氮化物MOCVD系统、生长工艺及其特性表征 | 第35-52页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·MOCVD技术的特点 | 第37-42页 |
| ·衬底的选择 | 第42-43页 |
| ·本论文中生长氮化物所用的源 | 第43-45页 |
| ·硅衬底氮化物外延生长工艺 | 第45页 |
| ·材料表征 | 第45-50页 |
| ·X射线双晶衍射技术(DCXRD) | 第45-47页 |
| ·表面形貌分析 | 第47-48页 |
| ·光致发光 | 第48-49页 |
| ·透射电镜技术(TEM) | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 硅衬底GaN薄膜外延生长及特性研究 | 第52-75页 |
| ·硅衬底GaN薄膜外延生长 | 第52-67页 |
| ·抑制SiN_x的形成 | 第52-55页 |
| ·缓冲层生长条件 | 第55-61页 |
| ·GaN外延层在AIN缓冲层上的生长 | 第61-66页 |
| ·GaN样品发光特性分析 | 第66-67页 |
| ·石墨基座包覆材料对GaN外延层性能影响 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第四章 硅衬底上GaN基LED外延片生长及其器件研究 | 第75-97页 |
| ·Si(111)衬底GaN基LED外延片生长 | 第75-77页 |
| ·Si(111)衬底GaN基LED外延片性能测试 | 第77-80页 |
| ·芯片制作过程 | 第80-84页 |
| ·器件结果 | 第84-95页 |
| ·小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第五章 硅衬底GaN基LED可靠性研究 | 第97-105页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·Si衬底GaN基LED老化机制研究 | 第97-103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 第六章 总结 | 第105-106页 |
| 博士生期间发表的论文 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |