| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| 1．1 晶片直接键合及其发展 | 第14-15页 |
| 1．2 硅片直接键合技术的应用 | 第15-17页 |
| 1．2．1 国外的发展和应用现状 | 第15-16页 |
| 1．2．1．1 在SOI结构中的应用 | 第15页 |
| 1．2．1．2 在 MEMS中的应用 | 第15-16页 |
| 1．2．1．3 在压电、声光器件和其他方面的应用 | 第16页 |
| 1．2．2 国内的发展和应用情况 | 第16-17页 |
| 1．3 本论文的工作 | 第17-19页 |
| 1．3．1 论文工作的原由 | 第17页 |
| 1．3．2 论文工作的目的 | 第17页 |
| 1．3．3 论文工作的意义 | 第17-19页 |
| 第二章 硅硅直接键合的工艺机理及质量控制 | 第19-28页 |
| 2．1 硅硅直接键合工艺机理 | 第19-21页 |
| 2．2 键合界面空洞的产生与控制 | 第21-25页 |
| 2．2．1 表面平整度和微观粗糙度的影响 | 第21-24页 |
| 2．2．2 粒子沾污的影响 | 第24页 |
| 2．2．3 表面挥发物质的影响 | 第24-25页 |
| 2．2．4 其他因素的影响 | 第25页 |
| 2．3 键合材料的键合强度控制 | 第25-26页 |
| 2．4 界面电学特性的控制 | 第26-28页 |
| 第三章 硅硅直接键合片的质量检侧 | 第28-46页 |
| 3．1 键合片的空洞检测 | 第28-32页 |
| 3．1．1 X射线拓扑测量法 | 第29页 |
| 3．1．2 超声波探测法 | 第29-30页 |
| 3．1．3 红外透射检测法 | 第30-32页 |
| 3．2 键合强度测试 | 第32-39页 |
| 3．2．1 用功来表征的测量方法 | 第32-37页 |
| 3．2．1．1 裂纹传播扩散法(Crack-Opening) | 第32-35页 |
| 3．2．1．2 静态液体油压法(Blister Test) | 第35页 |
| 3．2．1．3 四点弯曲分层法 | 第35-36页 |
| 3．2．1．4 MC测试方法(Micro-Chevron-Test) | 第36-37页 |
| 3．2．2 用力来表征的测量方法 | 第37-38页 |
| 3．2．3 键合强度的非破坏性测试 | 第38-39页 |
| 3．3 本项目采用的测试方法 | 第39-46页 |
| 第四章 硅硅直接键合的工艺过程及实验研究 | 第46-58页 |
| 4．1 表面清洗处理 | 第46-53页 |
| 4．1．1 硅片表面站污杂质的来源 | 第46-47页 |
| 4．1．2 预清洗 | 第47-50页 |
| 4．1．3 常规清洗 | 第50-53页 |
| 4．2 预键合 | 第53-56页 |
| 4．3 高温退火 | 第56-58页 |
| 第五章 硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系 | 第58-64页 |
| 5．1 Weibull理论 | 第58-59页 |
| 5．2 求解 Weibull参数m和σ_0的一种简单方法 | 第59-60页 |
| 5．3 理论分析缺陷分布与m的关系及其与实验结果的比较 | 第60-63页 |
| 5．4 结论 | 第63-64页 |
| 第六章 论文工作总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
