摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-7页 |
第一章 引言 | 第7-26页 |
·课题背景和目的 | 第7-8页 |
·RF MEMS 开关研究现状 | 第8-19页 |
·欧姆接触式RF MEMS 开关研究现状 | 第8-17页 |
·电容耦合式RF MEMS 开关研究现状 | 第17-19页 |
·RF MEMS 开关阵列研究现状 | 第19-24页 |
·用于增强开关效果的开关组 | 第19-21页 |
·用串连型欧姆接触开关实现的切换线移相器 | 第21-23页 |
·用旁路型电容耦合式开关实现的切换线移相器 | 第23页 |
·用电容耦合式开关实现的分布式移相器 | 第23-24页 |
·论文的研究目标 | 第24-25页 |
·论文各部分的内容 | 第25-26页 |
第二章 RF MEMS 开关及阵列的设计 | 第26-51页 |
·共面波导的设计 | 第26-31页 |
·共面波导的基本结构 | 第26-27页 |
·共面波导的材料选择 | 第27页 |
·共面波导的几何尺寸设计 | 第27-31页 |
·旁路型电容耦合式开关的设计 | 第31-41页 |
·开启电压的优化 | 第32-34页 |
·微波性能的优化 | 第34-37页 |
·设计实例:一种具有容性互连点的开关设计 | 第37-41页 |
·欧姆接触式开关的设计 | 第41-44页 |
·准三层金属工艺 | 第42-43页 |
·设计实例:一种欧姆接触式开关的设计 | 第43-44页 |
·MEMS 分布式加载线移相器的设计 | 第44-51页 |
·分布式加载线移相器基本原理 | 第44-46页 |
·分布式加载线移相器的设计 | 第46-48页 |
·设计实例:40GH21 位180?分布式加载线移相器设计 | 第48-51页 |
第三章 工艺流程设计及关键工艺研究 | 第51-76页 |
·整体工艺流程设计 | 第51-60页 |
·全Al 开关的工艺流程 | 第51-53页 |
·采用电镀Au 工艺的工艺流程 | 第53-60页 |
·RF MEMS 开关及阵列的版图设计 | 第60-64页 |
·版图各层的设计规则 | 第60-61页 |
·版图图形一览 | 第61-64页 |
·RF MEMS 开关关键工艺研究 | 第64-76页 |
·种子层图形化工艺 | 第64-66页 |
·电镀Au 工艺 | 第66-71页 |
·聚酰亚胺图形化工艺 | 第71-76页 |
第四章 实验结果及数据分析 | 第76-95页 |
·流水结果 | 第76-78页 |
·材料参数的测量 | 第78-79页 |
·金属材料的电阻率测量 | 第78-79页 |
·金属材料的杨氏模量测量 | 第79页 |
·开关以及移相器的开启电压测试 | 第79-81页 |
·直接测试 | 第79-80页 |
·C-V 测试 | 第80-81页 |
·微波性能测试 | 第81-95页 |
·S 参数测试 | 第81-83页 |
·特征阻抗的提取 | 第83-87页 |
·提取“纯”器件的参数 | 第87-95页 |
第五章 结论 | 第95-97页 |
·论文工作的主要内容 | 第95-96页 |
·论文工作的创新点和主要成果 | 第96页 |
·对进一步研究工作的展望 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-101页 |
致谢 | 第101页 |
声明 | 第101-102页 |
本人简历 | 第102页 |